电子技术
当前位置:
首页
>
学历类
>
大学试题
>
工学类
>
电子与通信技术
> 电子技术
搜索
[单项选择]集成有源滤波器的组成,一般由集成电路和()
A. 电感与电容
B. 电容与电阻
C. 电感与电阻
D. 电容与变压器
[单项选择]直接耦合多级放器存在现象()。
A. 只能通高频信号
B. 零点漂移
C. 只能通直流信号
D. 只能通交流信号
[单项选择]晶体三极管3DA的器件类别是()
A. 低频小功率管
B. 高频大功率管
C. 高频小功率管
D. 低频大功率管
[单项选择]共射极电流放大系数β与共基极电流放大系数α之间满足关系式()
A. α=1+β/1-β
B. α=β/1+β
C. α=1-β/1+β
D. α=1+β/β
[单项选择]CMOS集成门闲置的输入端和闲置的输出端的处理()
A. 闲置的输入端不允许悬空和闲置的输出端不允许接地或接电源;
B. 闲置的输入端允许悬空和闲置的输出端不允许接地或接电源;
C. 闲置的输入端不允许悬空和闲置的输出端允许接地或接电源;
D. 闲置的输入端允许悬空和闲置的输出端允许接地或接电源
[单项选择]晶体二极管2AP9的材料和极性是()
A. P型,锗材料
B. N型,锗材料
C. N型,硅材料
D. P型,硅材料
[单项选择]有一色环电阻的颜色是棕橙黑黑棕,它的标称值和允许误差是()
A. 130Ω,±10%;
B. 1300Ω,±1%;
C. 1300Ω,±10%;
D. 130Ω,±1%
[单项选择]晶体三极管3DG12的材料和极性是()
A. PNP型,锗材料
B. NPN型,锗材料
C. PNP型,硅材料
D. NPN型,硅材料
[单项选择]场效应晶体管根据结构不同分为两大类,它们的类型和简称是()
A. 结型场效应晶体管,简称JFET
B. 绝缘栅型场效应晶体管,简称JFET
C. 结型场效应晶体管JGFET
D. 绝缘栅型场效应晶体管JGFET
[单项选择]变压器耦合多级放器只能传递或放大()
A. 直流信号和交流信号
B. 直流信号
C. 直流信号和变化缓慢的交流信号
D. 交流信号
[单项选择]NTC热敏电阻,PTC热敏电阻的温度特性是()
A. 均是负温度系数
B. NTC是负温度系数;PTC是正温度系数
C. 均是正温度系数
D. NTC是正温度系数;PTC是负温度系数
[单项选择]指针式万用表置R×1K档,用黑表笔接三极管某一极,红表笔分别碰另外两极,若两次电阻均小,判别三极管类型和黑表笔接管脚()
A. NPN型、黑表笔接管脚是集电极;
B. PNP型、黑表笔接管脚是集电极;
C. NPN型、黑表笔接管脚是基极;
D. PNP型、黑表笔接管脚是基极;
[单项选择]结型场效应晶体管根据结构不同分为()
A. P沟道结型场效应晶体管和N沟道结型场效应晶体管
B. P沟道结型场效应晶体管和N沟道增强型场效应晶体管
C. N沟道结型场效应晶体管和P沟道增强型场效应晶体管
D. N沟道结型场效应晶体管和P沟道型绝缘栅场效应晶体管
[单项选择]绝缘栅场效应晶体管根据结构不同分为()
A. P沟道增强型效应晶体管和N沟道结型场效应晶体管
B. 增强型绝缘栅场效应晶体管和耗尽型绝缘栅场效应晶体管
C. N沟道结型场效应晶体管和P沟道增强型场效应晶体管
D. N沟道结型场效应晶体管和P沟道绝缘栅型场效应晶体管
[单项选择]场效应晶体管与晶体三极管比较,其突出优点是()
A. 噪声低、输入阻抗低
B. 热稳定性好、输入阻抗低
C. 噪声低、输入阻抗高
D. 噪声低、热稳定性差
[单项选择]半导体数码显示器的特点是()
A. 亮度高、响应速度慢;
B. 亮度低、响应速度慢;
C. 亮度高、响应速度快;
D. 亮度低、响应速度快
[单项选择]硅晶体二极管与锗晶体二极管的导通压降分别为()
A. 0.7V;0.3V
B. 0.2V;0.3V
C. 0.3V;0.7V
D. 0.7V;0.6V
[单项选择]提高放大器的输入电阻和稳定输出电压,则应选用()
A. 电压串联负反馈
B. 电压并联负反馈
C. 电流串联负反馈
D. 电流并联负反馈
[单项选择]集成运放的开环电压增益非常高,这些参数接近理想化的程度。()
A. 输入电阻很大,输出电阻很小
B. 输入电阻输出电阻均很大
C. 输入电阻很小,输出电阻很大
D. 输入电阻输出电阻均很小
[单项选择]阻容耦合多级放器能传递或放大()
A. 直流信号和交流信号
B. 直流信号
C. 直流信号和变化缓慢的交流信号
D. 交流信号
1
2
3
4
5
>
>>
相关试卷: