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[单选题]1241 晶闸管导通的条件是:可控硅( )。
A.主回路加反向电压,同时控制极加适当的正向电压
B.主回路加反向电压,同时控制极加适当的反向电压
C.主回路加正向电压,同时控制极加适当的正向电压
D.主回路加正向电压,同时,控制极加适当的反向电压
[判断题]晶闸管的维持电流指在晶闸管的阳极与阴极之间加有一定正向电压的条件下，使晶闸管由截止变导通所需要的最少控制电流。
A.正确
B.错误
[判断题]晶闸管的导通条件是晶闸管加正向电压门极加反向电压。( )
A.正确
B.错误
[填空题]电压开关型SPD通常采用___间隙、___管、晶闸管（可控硅整流器）和三端双向可控硅等元件。
[单选题]晶闸管导通的条件是
A.阳极加正向电压，门极有正向脉冲
B.阳极加正向电压，门极有负向脉冲
C.阳极加反向电压，门极有正向脉冲
D.阳极加反向电压，门极有负向脉冲
[单选题]晶闸管反向阻断是指当晶闸管加（ ）时，晶闸管不会导通。
A.正向阳极电压
B.正向阴极电压
C.反向阳极电压
D.反向阴极电压
[判断题]晶闸管导通的条件是晶闸管加正向电压即阳极接正极,阴极接负极,同时门极加反向电压。 ( )
A.正确
B.错误
[简答题]1 换流站内进行晶闸管（可控硅）高压试验，应——。
[单选题]上世纪50年代出现单向晶闸管，又称可控硅SCR；60年代快速晶闸管进入逆变领域；70年代研制了性能优良的自关断器件GTR和GTO;80年代涌现出各种高频化全控型功率半导体（ ）开关器件：功率MOSFET、绝缘栅晶体管IGBT、混合型MOS晶闸管（MCT）和IGBT等，及1000V高压MOSFET和150kHz高速IGBT等
A.开关
B.放大
C.自关断
D.自闭合
[单选题]分析单向晶闸管工作原理可知，单向晶闸管的导通条件是：一、门极有触发信号；二、阳极和阴极间加（ ）电压。
A.反向
B.正反馈
C.负反馈
D.正向
[判断题]带感性负载的可控硅整流电路加入续流二极管后,晶闸管的导通角比没有二极管前减小了,此时电路的功率因数也减小了。( )
A.正确
B.错误
[判断题]带电感性负载的可控硅整流电路加入(续流)二极管后,晶闸管的导通角比没有二极管前减小了,此时电路的功率因数减小了。
A.正确
B.错误
[判断题] 晶闸管的阴极电位比门极高时晶闸管就能成功导通。( )
A.正确
B.错误
