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[单项选择]PN结加反向电压，则（）
A. 有利于少子的扩散
B. PN结电阻变小
C. PN结变薄
D. 不利于多子的扩散
[单项选择]PN结加反向电压（数值小于击穿电压）时：（）。
A. 空间电荷区变宽，漂移运动大于扩散运动
B. 空间电荷区变窄，漂移运动大于扩散运动
C. 空间电荷区变窄，扩散运动大于漂移运动
D. 空间电荷区变宽，扩散运动大于漂移运动
[单项选择]PN结加正向电压则：（）
A. PN结变薄
B. PN结变厚
C. PN结不变
[填空题]当PN结加正向电压时，（）运动超过了内电场作用下的（）运动，形成较大的正向电流。
[填空题]给半导体PN结加正向电压时，电源的正极应接半导体的（）区，电源的负极通过电阻接半导体的（）区。
[判断题]三极管起放大作用的外部条件是集电结加反向电压，发射结加正向电压。
[判断题]NPN型三极管具有电流放大作用，导通的条件是发射结加反向电压，集电结加正向电压。
[单项选择]若三极管的发射结加正向偏压，集电结加反向偏压，则该管工作于（）状态。
A. 放大
B. 截止
C. 饱和
D. 开关
[判断题]在PN节之间加反向电压，多数载流子扩散被抑制，反向电流几乎为零，就形成了PN节截止。
[填空题]PN结具有（）性，即加正向电压时，PN结（），加反向电压时，PN结（）。
[填空题]PN结具有（），即加正向电压时，PN结处于（），加反向电压时，PN结处于（）。
[填空题]PN结的正向电流很大，是因为正向电流的电荷来源是（）；PN结的反向电流很小，是因为反向电流的电荷来源是（）。
[判断题]二极管两端的反向电压一旦超过其最高反向电压，二极管的PN结立即击穿。
[判断题]硅稳压二极管工作在反向击穿状态，切断外加电压后，PN结仍处于反向击穿。（）
[单项选择]PN结反向电压的数值增大，但小于击穿电压时，（）。
A. 其反向电流增加
B. 其正向电流增加
C. 其反向电流基本不变
D. 其反向电流减小
[填空题]当对PN结外加正向电压时，中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度（）；当对PN结外加反向电压时，中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度（）。
[判断题]三极管具有两个PN结，所以相当于两个二极管反向串联。
