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上海交通大学硕士材料科学基础真题2005年
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[简答题]VC为NaCl品体结构,其晶胞的点阵常数a=0.426nm,试计算其密度(已知V的相对原子质量为51,C的相对原子质量为12);试举该晶体在哪个晶面上全为V离子或全为C离子
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[单项选择]fcc晶体若以100面为外表面,则表面上每个原子的最邻近原子数为______个。
A. 12
B. 6
C. 8
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[单项选择]晶体的对称轴中不存在______。
A. 3次对称轴
B. 4次对称轴
C. 5次对称轴
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[单项选择]下面关于回复与再结晶机制的差别中,正确的为______。
A. 回复不需要孕育期,而再结晶需要孕育期
B. 回复不需要激活能,而再结晶需要激活能
C. 回复不能降低形变态的应变能,而再结晶将降低形变态的应变能
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[单项选择]由A-B-C组元形成的三元相图,其等边成分三角形(ABC)内平行于AB的直线上任意一点表示______。
A. C组元的浓度为定值
B. B与A组元的浓度比为定值
C. 上述(A)和
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[单项选择]下面关于Schottky和Frenkel缺陷的表述中,错误的为______。
A. Schottky缺陷同时包含空位和间隙原子
B. Frenkel缺陷的形成能通常较Schottky缺陷大
C. 同温度下,通常Schottky缺陷的浓度大于Frenkel缺陷
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[单项选择]室温下橡胶与塑料的不同柔顺性表明______。
A. 塑料的链段可动性比橡胶低
B. 塑料的链节比橡胶长
C. 塑料比橡胶的相对分子质量大
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[单项选择]晶体长大时如生长速率与动态过冷度成正比,则______
A. 该晶体与液相的界面为粗糙界面
B. 该晶体与液相的界面为光滑界面
C. 该晶体藉螺型位错长大
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[单项选择]多晶体塑性变形时,至少需要______独立的滑移系。
A. 3个
B. 8个
C. 5个
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[单项选择]包辛格效应属于______。
A. 塑性形变现象
B. 弹性的不完整性现象
C. 黏弹性现象
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[单项选择]高分子材料存在不同构象的主要原因是主链上的碳原子可以______。
A. π键的自旋转
B. σ键的自旋转
C. 氢键的自旋转
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[单项选择]单晶材料压缩时若发生扭折,则以下表述错误的为______。
A. 扭折区域的Schmid因子最大
B. hcp结构较fcc结构容易产生扭折
C. 扭折区域可能产生孪晶
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[单项选择]化学键中既无方向性又无饱和性的为______。
A. 共价键
B. 金属键
C. 离子键
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[简答题]试用高分子分子运动理论定性解释室温下塑料、橡胶和涂料的力学行为。
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[单项选择]半结晶期是指______。
A. 结晶时间进行到一半时对应的时间
B. 固相量为一半时对应的时间
C. 上述(A)和
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[单项选择]最难以形成非晶态结构的是______。
A. 陶瓷
B. 金属
C. 聚合物
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[单项选择]下面关于位错应力场的表述中,正确的是______。
A. 螺型位错的应力场中正应力分量全为零
B. 刃型位错的应力场中正应力分量全为零
C. 刃型位错的应力场中切应力分量全为零
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[单项选择]高分子材料结晶时,晶片越厚,则熔点______。
A. 不变
B. 越低
C. 越高
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[单项选择]离子化合物中,阳离子比阴离子扩散能力强的原因在于______。
A. 阴离子的半径较大
B. 阳离子更容易形成电荷缺陷
C. 阳离子的原子价与阴离子不同
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[单项选择]下列Burgers矢量可能表示了简单立方晶体中的全位错:
A. [100]
B. 1/2[110]
C. 1/3[111]
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[单项选择]下面关于对再结晶温度影响的说法中,错误的为______。
A. 冷形变程度越小则再结晶温度越高
B. 在同样的冷变形程度下,原始晶粒尺寸越小则再结晶温度越低
C. 第二相粒子分布越弥散则再结晶温度越低
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[单项选择]包晶成分的的合金在平衡凝固时(L+α→β)______。
A. 高熔点组元由α向β内扩散
B. 高熔点组元由L向α内扩散
C. 高熔点组元由L向β内扩散
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[简答题]若金属中的空位形成能EV,与温度无关,试证明空位的组态熵(S)随温度的升高而增加。已知微观状态数W=(N+n)!/(N!n!)。
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[单项选择]共晶层片(α+β)共在特定过冷度下生长时,扩散所消耗的驱动力约为______。
A. 固相与液相自由能差的全部
B. 固相与液相自由能差的1/2
C. 上述(A)和
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[单项选择]能进行滑移的位错为______。
A. 肖克利不全位错
B. 弗兰克不全位错
C. 面角位错