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[单项选择]8086系统若用256K×1动态存储器芯片可构成有效存储系统的最小容量是( )。
A. 256K字节
B. 512K字节
C. 640K字节
D. 1M字节
[单项选择]8086系统若用256KXl动态存储器芯片可构成有效存储系统的最小容量是( )。
A. 256K字节
B. 512K字节
C. 640K字节
D. 1M字节
[单项选择]设存储器的地址线为20条,存储单元为字节,使用全译码方式组成存储器,该系统构成最大存储器容量需要64K×1位的存储器芯片的数量是( )。
A. 16片
B. 32片
C. 64片
D. 128片
[单项选择]Cache存储器一般采用()存储器件构成。
A. DRAM
B. SRAM
C. ROM
D. NVRAM
[单项选择]控制存储器使用EPROM构成的控制器是( )。
A. 静态微程序控制器
B. 动态微程序控制器
C. 毫微程序控制器
D. 以上都不对
[单项选择]cache存储器一般采用 (1) 存储器件构成。
A. DRAM
B. SRAM
C. ROM
D. NVRAM
[单项选择]Cache存储器通常采用 (4) 存储器件构成。
A. DRAM
B. SRAM
C. EPROM
D. NVRAM
[单项选择]如果把存储器分为随机存取存储器、只读存储器、顺序存取存储器和直接存取存储器,这种分类方法是( )
A. 按存储介质分类
B. 按存取方式分类
C. 按信息的可保护性分类
D. 按位置和功能分类
[单项选择]在Intel 2164动态RAM存储器中,对存储器刷新的方法是( )
A. 每次一个单元
B. 每次刷新512个单元
C. 每次刷新256个单元
D. 一次刷新全部单元
[单项选择]在下面四种半导体存储器中,哪一种是动态随机存取存储器
A. DDR SDRAM
B. Flash ROM
C. EEPROM
D. Cache
[单项选择]和动态MOS存储器比较,双极性半导体存储器的性能是( )。
A. 集成度低,存取周期快,位平均功耗大
B. 集成度低,存取周期慢,位平均功耗小
C. 集成度高,存取周期快,位平均功耗小
D. 集成度高,存取周期慢,位平均功耗大