微电子学
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[填空题]PN结的正向电流由()电流、()电流和()电流三部分所组成。
[名词解释]耗尽层宽度W
[填空题]当对PN结外加正向电压时,由N区注入P区的非平衡电子一边向前扩散,一边()。每经过一个扩散长度的距离,非平衡电子浓度降到原来的()。
[填空题]势垒电容反映的是PN结的()电荷随外加电压的变化率。PN结的掺杂浓度越高,则势垒电容就越();外加反向电压越高,则势垒电容就越()。
[填空题]当对PN结外加反向电压时,其势垒区宽度会(),势垒区的势垒高度会()。
[填空题]PN结的正向电流很大,是因为正向电流的电荷来源是();PN结的反向电流很小,是因为反向电流的电荷来源是()。
[填空题]在PN结的正向电流中,当电压较低时,以()电流为主;当电压较高时,以()电流为主。
[名词解释]MOSFET本征电容
[填空题]当对PN结外加正向电压时,其势垒区宽度会(),势垒区的势垒高度会()。
[填空题]当采用耗尽近似时,由N 型耗尽区中的泊松方程可以看出,掺杂浓度越高,则内建电场的斜率越()。
[名词解释]MASK
[简答题]微电子学的特点是什么?
[填空题]当对PN结外加正向电压时,中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度();当对PN结外加反向电压时,中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度()。
[填空题]小注入条件是指注入某区边界附近的()浓度远小于该区的()浓度,因此该区总的多子浓度中的()多子浓度可以忽略。
[填空题]PN结的掺杂浓度越高,则势垒区的长度就越(),内建电场的最大值就越(),内建电势Vbi就越(),反向饱和电流I0就越(),势垒电容CT就越(),雪崩击穿电压就越()。
[填空题]扩散电容反映的是 PN 结的()电荷随外加电压的变化率。正向电流越大,则扩散电容就越();少子寿命越长,则扩散电容就越()。
[填空题]大注入条件是指注入某区边界附近的()浓度远大于该区的()浓度,因此该区总的多子浓度中的()多子浓度可以忽略。
[名词解释]HDL
[填空题]薄基区二极管是指PN结的某一个或两个中性区的长度小于()。在薄基区二极管中,少子浓度的分布近似为()。
[填空题]在PN结的空间电荷区中,P区一侧带()电荷,N区一侧带()电荷。内建电场的方向是从()区指向()区。
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