微电子学
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[简答题]干法刻蚀有高的还是低的选择比?
[简答题]如果光波长减小分辨率会有什么变化,如果NA增加了呢?
[简答题]解释光刻胶选择比,要求的比例是高还是低?
[简答题]哪种化学气体通常用来刻蚀多晶硅,为什么这种化学气体替代了氟基化学气体?
[简答题]二氧化硅,铝,硅和光刻胶刻蚀分别使用什么化学气体来实现干法刻蚀?
[简答题]计算扫描光刻机的分辨率,假设波长是248nm, NA=0.65, K是0.6。
[简答题]光学光刻技术的改进有哪些方面?
[简答题]列举干法刻蚀同湿法刻蚀相比具有的优点,干法刻蚀的不足之处是什么?
[简答题]为什么要进行显影后检查?
[简答题]当分辨率增加时焦深会发生什么变化?
[简答题]列出在干法刻蚀中发生刻蚀反应的六种方法?
[简答题]列出按材料分类的三种主要干法刻蚀。
[简答题]列举下一代光刻技术中4种正在研发的光刻技术。
[简答题]刻蚀的目的是什么?
[简答题]描述各同向性和各向异性刻蚀剖面,以及在每一种剖面中哪一种是希望的哪一种是不希望的?
[简答题]列出并阐述刻蚀多晶硅的三个步骤。
[简答题]使用什么材料制作投影掩膜板,投影掩膜板上形成图形的不透明材料是什么?
[简答题]写出计算焦深的公试。
[简答题]列出并解释硅片表面反射引起的最主要的两个问题。
[简答题]描述平板反应器。
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