微电子学
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[简答题]沉积多晶硅栅材料采用什么CVD工具,列举多晶硅作为栅电极的6个原因。
[简答题]CVD过程中采用等离子体的优点有哪些?
[简答题]列出热氧化物的硅片制造的六种用途,并给出各种用途的目的。
[简答题]如果热生长氧化层厚度为2000A,那么Si消耗多少?
[简答题]列出Si/Si0
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界面处的4种氧化物电荷。
[简答题]解释HDPCVD中同步沉积和刻蚀。典型深宽比的值是什么?
[简答题]解释HDPCVD,它在IC中有什么优势?
[简答题]为什么删氧要用热生长?
[简答题]RTP是热壁系统还是冷壁系统?
[简答题]列出沉积的5种主要技术。
[简答题]简述立式炉系统的五部分。
[简答题]描述场氧化层及其厚度范围。
[简答题]列举并描述薄膜生长的三个阶段。
[简答题]压力对氧化物生长的影响是什么?
[简答题]举出氧化工艺中掺氯的两个优点。
[简答题]掺杂对氧化物生长的影响是什么?
[简答题]解释APCVD,使用APCVD SiO
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的主要问题是什么,是用硅烷作为反应源吗?
[简答题]什么是快速热处理,相比于系统炉其6大优点是什么?
[简答题]解释晶体晶向对氧化物生长的影响。
[简答题]描述硅片偏置对HDPCVD方向性的影响。
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