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[单选题]1.257.
介质损耗测试仪测量电容量时，在10kV试验电压下，电容量的内施法测量范围不小于（ ）pF。
A.10000
B.20000
C.30000
D.40000
[判断题]1.259.
介质损耗测试仪测量电容量时，在10kV试验电压下，电容量的内施法测量范围不小于40000pF。
A.正确
B.错误
[判断题]1.258.
介质损耗因数的测量范围：0～1。
A.正确
B.错误
[多选题] 介质损耗因数测量时,对仪器电源的要求有()。
A. 波形:正弦波,波形失真度不大于5%
B. 单相电压:220*(1±10%)V
C. 频率:50±0.5Hz
D. 频率:50±5Hz
[单选题]全自动绝缘油介质损耗测试仪的测量电极与保护电极间的绝缘电阻，应为测量设备绝缘电阻的（ ）倍以上，各芯线与屏蔽间的绝缘电阻，一般应大于50～100兆欧。
A.100；
B.150；
C.250；
D.300
[多选题]现场测试表明;电流互感器的末屏引出结构方式对其介质损耗因数测量结果影响较大,()。
A.环氧酚醛层压玻璃布二次接线板上直接引出的末屏介质损耗因数一般都较大
B.环氧酚醛层压玻璃布二次接线板上直接引出的末屏介质损耗因数一般都较小
C.绝缘小瓷套管上直接引出的末屏介质损耗因数一般都较大
D.绝缘小瓷套管上直接引出的末屏介质损耗因数一般都较小
[多选题]电流互感器的末屏引出结构方式对其介质损耗因数测量结果影响较大,若将电流互感器的两种末屏引出结构方式进行对比,则()。
A.环氧玻璃布板结构方式较瓷套管方式在20℃、50Hz下的tanδ和C大
B.环氧玻璃布板结构方式较瓷套管方式在20℃、50Hz下的tanδ和C小
C.瓷套管方式较环氧玻璃布板结构方式绝缘电阻大
D.瓷套管方式较环氧玻璃布板结构方式绝缘电阻小
[单选题]全自动绝缘油介质损耗测试仪的测试电极杯，采用三电极、内外电极双控温结构，电极间距为（ ）mm±0.05mm，内外电极同心度偏差小于0.05mm。
A.1；
B.2；
C.3；
D.4
[单选题]2.225. 第225题
电容量和介质损耗因数测试电力变压器20℃时的介质损耗因数:35kV及以下注意值为:( )。
A.≤0.005
B.≤0.008
C.≤0.010
D.≤0.015
[判断题]智能型介质损耗测试仪采用反接法时接线方式为从仪器上引出1根线，接到被试品的一个高压接线端子，被试品的另一端接地。
A.正确
B.错误
[单选题]2.225.
电容量和介质损耗因数测试电力变压器20℃时的介质损耗因数：35kV及以下注意值为：（ ）。
A.≤0.005
B.≤0.008
C.≤0.010
D.≤0.015
[多选题]关于测量介质损耗因数描述正确的是()。
A.介质损耗因数试验属于特性试验
B.介质损耗因数试验是非破坏性试验
C.介质损耗因数试验灵敏性差
D.在并联回路中的介质损耗因数是介于各并联分支中的最大值和最小值之间
E.测量介质损耗因数不易发现局部缺陷
[判断题]在有强电场干扰的现场,测量试品介质损耗因数tanδ,采用变频测量方法测量的稳定性、重复性及准确性较差。
A.正确
B.错误
[多选题]1.43.
高压套管电容量和介质损耗因数试验影响测量的因素有（）。
A.抽压小套管绝缘不良
B.相对湿度较大
C.套管附近的木梯、构架、引线等所形成的杂散损耗
D.自高压电源接到试品导电杆顶端的高压引线
[单选题]测量110kV及以上高压电容型套管的介质损耗因数时( ),往往测量结果有较大的差别。
A.仪器的放置位置不同
B.套管的放置位置不同
C.接线位置不同时
D.电源位置不同时
[多选题] 测量介质损耗因数,通常能发现的设备绝缘缺陷是()。
A. 整体受潮
B. 整体劣化
C. 小体积试品的局部缺陷
D. 大体积试品的局部缺陷
[单选题]测量介质损耗因数,通常不能发现的设备绝缘缺陷是( )。
A.大体积试品的局部缺陷
B.小体积试品的局部缺陷
C.整体劣化
D.整体受潮
[判断题]测量介质损耗因数,通常不能发现大体积试品的局部缺陷。
A.正确
B.错误
