[单选题]由于IGBT中双极型PNP型晶体管的存在，使IGBT的开关速度（）电力MOSFET。
A.低于
B.等于
C.高于
D.无法比较

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[单选题]绝缘栅双极晶体管的开关速度（）电力晶体管。
A.低于
B.等于
C.稍高于
D.明显高于

[判断题]TTL内部的晶体管全部是PNP型的双极型三极管。( )
A.正确
B.错误

[单选题]绝缘栅双极晶体管（IGBT)综合了“ ”和MOSFET的优点，因而具有良好的特性。
A.MOS
B.GTR
C.CMOS
D.BJT

[单选题]绝缘栅双极晶体管IGBT，将MOSFET与（）的优点集于一身，是一种复合型电力半导体器件。
A.GTR
B.SCR
C.TTL
D.GTO

[判断题]斩波器中的绝缘栅双极晶体管工作在开关状态。
A.正确
B.错误

[单选题]绝缘栅双极晶体管的开关速度比电力场效应管的（）。
A.高
B.相同
C.低
D.不一定高

[填空题]IGBT的中文名称是（）晶体管，是场效应管和双极型晶体管的复合，是（）大功率电力电子器件。

[单选题]晶体管开关采用最多的是( )晶体管接近开关。
A.感应型
B.整流型
C.电磁感应型
D.高频振荡型

[判断题]晶体管接近开关采用最多的是电磁感应型晶体管接近开关。( )
A.正确
B.错误

[单选题]双极型晶体管和场效应晶体管的控制信号为( )。
A.电压
B.电流
C.双极型为电压.场效应为电流
D.双极型为电流.场效应为电压

[单选题]晶体管的运用有开关回路、定时回路、电压限制和( )。
A.发动机转速传感器
B.空气流量传感器
C.温度传感器
D.电子点火

[判断题]1.晶体管接近开关采用最多的是电磁感应型晶体管接近开关。( )
A.正确
B.错误

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