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[判断题] 测量电容型电流互感器末屏对地的介损时所施加的试验电压、一般取10kV。( )
A.正确
B.错误
[判断题] 测量电容型电流互感器末屏对地的介损时所施加的试验电压,应考虑到末屏的绝缘水平,一般以2~3kV为宜。
A.正确
B.错误
[单选题]如果需要测量电容型电流互感器末屏的末屏对地tanδ,其值不大于()。
A.0.01
B.0.02
C.0.025
D.0.03
[单选题] 如果需要测量电容型电流互感器末屏对地tanδ,其试验电压应为()kV。
A. 2
B. 5
C. 5
D. 10
[单选题] 如果电容型电流互感器末屏对地绝缘电阻低于1000MΩ,则应测量其对地tanδ,其值不大于()。
A. 0.01
B. 0.02
C. 0.03
D. 0.04
[单选题] 通常电容型电流互感器末屏对地绝缘电阻不应低于()MΩ。
A. 1000
B. 2000
C. 10000
D. 500
[单选题] 电容型电流互感器末屏的绝缘电阻不宜小于()MΩ。
A. 500
B. 1000
C. 1500
D. 2000
[判断题] 测量套管末屏对地介损对反应套管初期受潮较为灵敏。()
A.正确
B.错误
[判断题] 用正接线法测量绝缘介损一定比反接法测量的介损值要大。
A.正确
B.错误
[判断题] 用反接线测量电磁式电流互感器的介损,一次加压,二次开路,对其测量介损tgδ值影响不大。
A.正确
B.错误
[判断题] 用反接线方式、测量一台110kV电流互感器主绝缘介损tgδ、如介损仪本体接地不良、与其介损测量结果无关。
A.正确
B.错误
[单选题]电流互感器有末屏端子的，应测量末屏对地绝缘电阻，一般
不低于（ ），或与上次测量值相比无显著变化。
A.200MΩ
B.300MΩ
C.500MΩ
D.1000MΩ
[判断题] 套管注油后如果未静置就测量其介损,则介损会偏大。( )
A.正确
B.错误
[判断题] 当被试品电容量很小,测量其介损tgδ时,介损仪的高压引线与被试品的杂散电容对测量的影响不可忽视。
A.正确
B.错误
[多选题] 通过介损测量发现的缺陷主要是( )。
A. 设备普遍受潮
B. 绝缘材料的普遍老化
C. 小电容量设备的局部缺陷
D. 大电容量设备的局部缺陷
[多选题] 测量绝缘介损的仪器按原理可以分为()。
A. 西林电桥
B. 电流比较型电桥
C. M型电桥
D. 直流电流电压法电桥
[判断题] 现场进行35~110kV级油浸链式或串级式电流互感器测量介损时,最好采用一次对二次绕组的正接法测量方法。( )
A.正确
B.错误
[单选题] 测量套管介损及电容量,为排除表面脏污干扰,可通过()来消除影响。
A. 屏蔽
B. 吹风机吹干
C. 测量前尽量将被试设备外表面擦拭干净
D. 以上说法都对
[单选题] 测量主绝缘为电容式结构的电流互感器的介损及电容量时,有末屏的应尽量用 ( ) 进行测量。
A. 正接法
B. 反接法
C. 自激法
D. 末屏加压法
