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[单选题]进行晶闸管(可控硅)低压通电试验时,试验人员应与试验带电体保持()m以上的安全距离,试验人员不得接触阀塔屏蔽罩。
A.0.35
B.0.5
C.0.6
D.0.7
[单选题]直流换流站阀厅内进行晶闸管(可控硅)高压试验时,作业人员应与试验带电体位保持()m以上距离,试验人员禁止直接接触阀塔屏蔽罩,防止被可能产生的试验感应电伤害。
A.0.35
B.0.5
C.0.6
D.0.7
[单选题] 直流换流站阀厅内进行晶闸管(可控硅)高压试验时,作业人员应与试验带电体位保持( )m以上距离,试验人员禁止直接接触阀塔屏蔽罩,防止被可能产生的试验感应电伤害。(1.0分)
A.O.35
B.0.5
C.0.6
D.0.7
[单选题]直流换流站阀厅内进行晶闸管(可控硅)高压试验时,作业人员应与试验带电体位保持( )m以上距离,试验人员禁止直接接触阀塔屏蔽罩,防止被可能产生的试验感应电伤害。
A.O.35
B.0.5
C.0.6
D.0.7
[单选题]【单选题】121.直流换流站阀厅内进行晶闸管(可控硅)高压试验时,作业人员应与试验带电体位保持( )m以上距离,试验人员禁止直接接触阀塔屏蔽罩,防止被可能产生的试验感应电伤害。
A. 0.35
B. 0.5
C. 0.6
D. 0.7
[单选题]进行晶闸管(可控硅)高压试验前,应停止该阀塔内其它工作并撤离无关人员;试验时,作业 人员应与试验带电体位保持( )以上距离,试验人员禁止直接接触阀塔屏蔽罩,防止被可能产生的试验感应电伤害。
A.0.35m
B. 0.7m
C.1.0m
D.1.5m