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[判断题]绝缘栅双极型晶体管具有电力场效应晶体管和电力晶体管的优点。
A.正确
B.错误
[判断题]电力场效应晶体管属于电流型控制元件。
A.正确
B.错误
[单选题]电力场效应晶体管 MOSFET 适于在( )条件下工作。
A.直流
B.低频
C.中频
D.高频
[单选题]电力场效应晶体管 MOSFET 是理想的( )控制器件。
A.电压
B.电流
C.电阻
D.功率
[判断题]电力场效应晶体管 MOSFET 在使用时要防止静电击穿。( )
A.正确
B.错误
[判断题]晶体管是电流控制型半导体器件,而场效应晶体管则是电压控制型半导体器件。( )
A.正确
B.错误
[单选题]电力场效应晶体管的优点下列选项中错误的是？(____)。
A.无二次击穿问题
B.开关速度慢
C.安全工作区宽
D.工作频率高
[单选题](78562)双极型晶体管和场效应晶体管的控制信号(即驱动信号)为( )。(2.0分)
A.均为电压控制
B.均为电流控制
C.双极型晶体管为电压控制,场效应管为电流控制
D.双极型晶体管为电流控制,场效应管为电压控制
[单选题]功率场效应晶体管的三个引脚符号为( )。
A.源极 S,漏极
D,发射极 E
B.漏极
D,发射极
E,集电极 CG
C.枬极
G,发射极
E,集电极 C
D.源极 S,漏极
D,概极 G
[判断题]场效应晶体管源极输出器类似于共集电极电路。（）
A.正确
B.错误
[单选题]功率场效应晶体管分为哪两种类型？(____)。
A.阻抗型、漏型
B.结型、绝缘栅型
C.混合型、复合型
D.单极型、双极型
[判断题]功率场效应晶体管（Mosfet）按栅极电压幅值可分为:耗尽型和增强型。
A.正确
B.错误
[判断题]结型场效应晶体管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压, 才能保证其 RGS 大的特点。( )
A.正确
B.错误
[填空题]绝缘栅双极型晶体管（IGBT）是以（ ）晶体管作为基极，以电力晶体管作为发射极与集电极复
合而成。
[单选题]电力晶体管是一种（ ）型晶体管。
A.单极结
B.双极结
C.可关断
D.普通
[单选题]电力晶体管如果出现______，会使晶体管彻底损坏。
A.一次击穿
B.二次击穿
C.雪崩击穿
D.反向击穿
