[单项选择]抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对下列哪种离子通透性增加所致
A. Na+、C1ˉ、K+，尤其是K+
B. Ca2+、K+、Clˉ，尤其是Ca2+
C. Na+、K+，尤其是Na+
D. K+、C1ˉ，尤其是C1ˉ
E. K+、Ca2+、Na+，尤其是Ca2+

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[单项选择]突触后膜对下列哪种离子通透性增加产生抑制性突触后电位
A. Na⁺，Cl^-，K⁺，尤其是K⁺
B. Ca²⁺，K⁺，Cl^-，尤其是Ca²⁺
C. Na⁺，K⁺，尤其是Na⁺
D. K⁺，Cl^-，尤其是Cl^-
E. K⁺，Ca²⁺，Na⁺，尤其是Ca²⁺

[单项选择]抑制性突触后电位的产生，是由于哪种离子在突触后膜的通透性增加所致
A. K⁺、Cl^-，尤其是Cl^-
B. Ca²⁺、K⁺、Cl^-，尤其是Ca2+
C. Na⁺、K⁺，尤其是Na⁺
D. Na⁺、Cl^-、K⁺，尤其是K⁺

[单项选择]产生抑制性突触后电位时，通透性最大的离子是（）
A. K⁺
B. Ca²⁺
C. HCO₃^-
D. Cl^-
E. Na⁺

[单项选择]抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对______的通透性增加所致( )。
A. Na⁺、Cl-、K⁺，尤其是K⁺
B. Ca²⁺、K⁺、Cl^-，尤其是Ca²⁺
C. Na⁺、K⁺，尤其是Na⁺
D. K⁺、Cl^-，尤其是Cl^-
E. K⁺、Cl、Na⁺，尤其是Cl^-

[单项选择]抑制性突触后电位产生的离子机制主要是
A. Na⁺内流
B. K⁺外流
C. Ca²⁺内流
D. Cl^-内流
E. Na⁺内流和K⁺外流

[单项选择]产生抑制性突触后电位的主要离子基础是
A. K⁺
B. Na⁺
C. Ca²⁺
D. Cl^-
E. Mg²⁺

[单项选择]

抑制性突触后电位产生的离子机制是（）

A. Ca^2＋内流
B. Cl^-内流
C. Na^＋内流
D. K^＋内流
E. K^＋外流

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