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发布时间:2023-09-30 03:55:13

[单项选择]半导体随机存储器的访问速度与( )有关。
A. 存储芯片的存取周期
B. 存储芯片的容量大小
C. 所访问存储单元的位置
D. 以上都包括

更多"半导体随机存储器的访问速度与( )有关。"的相关试题:

[单项选择]在下面四种半导体存储器中,哪一种是动态随机存取存储器
A. DDR SDRAM
B. Flash ROM
C. EEPROM
D. Cache
[单项选择]在下面四种半导体存储器中,( )采用的是动态随机存取存储器。
A. RDRAM
B. Flas ROM
C. EEPROM
D. Cache
[单项选择]在下面四种半导体存储器中,哪一种采用的是动态随机存取存储器
A. RDRAM
B. Flash ROM
C. EEPROM
D. Cache
[单项选择]半导体存储器速度最快的是( )。
A. EPROM
B. DRAM
C. SRAM
D. FLASH MEMORY
[单项选择]半导体只读存储器(ROM)与半导体随机存储器(RAM)的主要区别在于 (4)
A. ROM可以永久保存信息,RAM在掉电后信息丢失
B. ROM掉电后信息丢失,RAM则不会
C. ROM是内存储器,RAM是外存储器
D. RAM是内存储器,ROM是外存储器
[单项选择]半导体只读存储器(ROM)与半导体随机存储器(RAM)的主要区别在于______。
A. ROM以永久保存信息,RAM在断电后信息会丢失
B. ROM断电后,信息会丢失,RAM则不会
C. ROM是内存储器,RAM是外存储器
D. RAM是内存储器,ROM是外存储器
[单项选择]半导体只读存储器(ROM)与半导体随机存取存储器(RAM)的主要区别在于 ( )。
A. ROM可以永久保存信息,RAM在断电后信息会丢失
B. ROM断电后信息会丢失,RAM则不会
C. ROM是内存储器,RAM是外存储器
D. RAM是内存储器,ROM是外存储器
[单项选择]和动态MOS存储器比较,双极性半导体存储器的性能是( )。
A. 集成度低,存取周期快,位平均功耗大
B. 集成度低,存取周期慢,位平均功耗小
C. 集成度高,存取周期快,位平均功耗小
D. 集成度高,存取周期慢,位平均功耗大

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