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发布时间:2023-12-07 07:00:22

[单项选择]关于凡士林基质的错误表述为
A. 凡士林是由多种分子量的烃类组成的半固体状混合物
B. 凡士林是常用的油脂性基质
C. 凡士林吸水性很强
D. 常温下每100g基质吸收水的克数即为水值
E. 凡士林性质稳定,无刺激性

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[单项选择]关于乳剂基质的错误表述为
A. 常用油相为石蜡、蜂蜡与高级脂肪醇等
B. 可用液状石蜡、凡士林等调节油相稠度
C. W/O型乳剂基质含水量较大
D. 常用保湿剂为甘油、丙二醇、山梨醇等
E. 常用乳化剂为表面活性剂
[单项选择]关于软膏剂基质的错误表述为
A. 基质不仅是软膏的赋形剂,也是药物的载体
B. 性质稳定,与主药不发生配伍禁忌
C. 稠度适宜,易于涂布
D. 易于清洗,不污染衣物
E. 对软膏剂的质量、药物释放、吸收无影响
[单项选择]关于甘油明胶基质的错误表述为
A. 甘油明胶在体温下不熔化
B. 塞入腔道后缓慢溶于分泌液中延长药物的吸收
C. 与鞣酸、重金属盐产生配伍禁忌
D. 水:明胶:甘油为10:20:70
E. 本品不易滋长霉菌等微生物,故无需加防腐剂
[单项选择]关于油脂性基质的错误表述为
A. 此类基质涂于皮肤能形成封闭性油膜,促进皮肤水合
B. 凡士林属于常用的类脂类基质
C. 类脂中以羊毛脂与蜂蜡应用较多
D. 固体石蜡与液状石蜡用以调节稠度
E. 羊毛脂可以增加基质吸水性及稳定性
[单项选择]对凡士林基质说法错误的是
A. 凡士林是常用的油脂性基质
B. 凡士林是由多种分子量的烃类组成的半固体状混合物
C. 凡士林性质稳定无刺激性
D. 凡士林吸水性很强
E. 常温下每100g基质吸收水的克数即为水值
[单项选择]关于局部作用栓剂基质的错误表述为
A. 油性药物应选择油性基质
B. 水性药物应选择水性基质
C. 不需具备促进吸收能力
D. 局部作用通常在半小时内开始
E. 最少要持续6h
[单项选择]关于聚乙二醇用作软膏基质的错误表述是()
A. 常用的配比有PEG400:PEG4000=1:1
B. 易溶于水,能与渗出液混合,易洗除
C. 可使用酚类防腐剂
D. 吸水性强,久用可引起皮肤脱水产生干燥感
E. 化学性质稳定
[单项选择]关于O/W型乳剂基质的错误表述为
A. O/W型墓质含水量大、易霉变,故需加人防腐剂
B. O/W型基质具有反向吸收作用,忌用于化脓性创面
C. 保湿剂的用量一般在5%以下
D. 含有乳化剂可使油脂性基质易于洗除
E. 用硬脂酸制成的乳剂基质外观光滑美观
[单项选择]关于栓剂基质质量要求的错误表述为
A. 室温下应有适宜的硬度
B. 在体温时易软化、熔化或溶解
C. 具有润湿或乳化能力
D. 栓剂基质可分为极性与非极性基质
E. 适用于热熔法与冷压法
[单项选择]关于栓剂基质可可豆脂的错误表述是
A. 具有同质多晶性质
B. 药物在其乳化基质中释放较快
C. 为水溶性基质
D. 100g可可豆脂可吸收水20~30g
E. 无刺激性、可塑性好
[单项选择]关于油脂性基质的正确表述为
A. 油脂性基质是指烃类物质
B. 凡士林基质常用于制备乳膏剂
C. 凡士林经漂白后可用于眼膏剂基质
D. 液状石蜡具有表面活性及一定的吸水性能
E. 羊毛脂的主要成分是胆固醇的棕榈酸酯及游离的胆固醇类
[单项选择]关于乳剂型基质的正确表述为
A. O/W型乳剂基质因外相水易蒸发变硬,故需加入保湿剂
B. W/O型乳剂基质有“反向吸收”现象
C. O/W型乳剂基质可使用于分泌物较多的病灶
D. HLB为7~9的表面活性剂易形成O/W型基质
E. O/W型乳剂基质可选用高分子溶液作乳化剂
[单项选择]关于软膏剂基质的正确表述为
A. 主要有油脂性基质与水溶性基质两类
B. 石蜡可用于调节软膏稠度
C. 凡士林是一种天然油脂,碱性条件下易水解
D. 液状石蜡具有表面活性,可作为乳化基质
E. 硅酮吸水性很强,常与凡士林配合使用
[单项选择]基质影响药物吸收因素的错误表述是
A. 药物从基质中快速释放到粘膜有利于吸收
B. 药物从基质中释放是吸收的限速阶段
C. 全身作用栓剂要求在腔道中药物应从基质中快速释药
D. 同一药物使用分配系数小的油性基质吸收较慢
E. 水溶性基质对油溶性药物释放快
[单项选择]下列关于油脂性基质的正确表述为
A. 硅酮即为二甲基硅油
B. 石蜡与液状石蜡为天然油脂性化合物
C. 羊毛脂可吸收2倍量的水而形成O/W型乳剂基质
D. 蜂蜡在W/O型基质中起稳定作用
E. 硅酮是一类具有表面活性剂的物质
[单项选择]关于絮凝的错误表述是
A. 混悬剂的微粒荷电,电荷的排斥力会阻碍微粒的聚集
B. 加入适当电解质,可使ξ—电位降低
C. 混悬剂的微粒形成絮状聚集体的过程称为絮凝
D. 为形成絮凝状态所加入的电解质称为反絮凝剂
E. 为了使混悬剂恰好产生絮凝作用,一般应控制ξ—电位在20~25mV范围内

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