[多项选择]下列关于抑制性突触后电位的叙述，正确的是
A. 是局部除极化电位
B. 具有“全或无”性质
C. 是局部超极化电位
D. 由突触前膜递质释放量减少所致
E. 由突触后膜对钠通透性增加所致

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[单项选择]关于抑制性突触后电位的产生，正确的叙述是
A. 突触前轴突末梢超极化
B. 突触后膜对Ca²⁺、K⁺通透性增大
C. 突触后膜去极化
D. 突触后膜出现超极化
E. 突触后膜出现复极化

[单项选择]抑制性突触后电位
A. 是去极化局部电位
B. 是超极化局部电位
C. 具有全或无特征
D. 是突触前膜递质释放减少所致
E. 是突触后膜对Na⁺通透性增加所致

[单项选择]关于抑制性突触后电位的产生过程，正确的叙述是
A. 突触前轴突末梢超极化
B. 突触后膜对Ca²⁺、K⁺的通透性增大
C. 突触后膜去极化
D. 突触后膜电位增大，出现超极化

[单项选择]抑制性突触后电位是
A. 去极化局部电位
B. 超极化局部电位
C. 具有全或无特性
D. 突触后膜Na +通透性增加所致
E. 突触前膜递质释放减少所致

[单项选择]对于抑制性突触后电位的产生，正确的叙述是
A. 突触前轴突末梢超极化
B. 对Ca2⁺、K⁺通透性增大
C. 突触后膜出现超极化
D. 突触后膜去极化
E. 突触前膜去极化

[单项选择]抑制性突触后电位是指突触后膜发生( )
A. 极化
B. 除极化
C. 超极化
D. 反极化
E. 复极化

[单项选择]抑制性突触后电位的产生机制是（）
A. 突触后膜对Na+通透性增大
B. 突触后膜对Ca2+、K+通透性增大
C. 突触后膜去极化
D. 突触后膜超极化
E. 突触后膜复极化

[单项选择]产生抑制性突触后电位的主要离子基础是
A. K⁺
B. Na⁺
C. Ca²⁺
D. Cl^-
E. Mg²⁺

[单项选择]产生抑制性突触后电位时，突触后膜对哪种离子通透性升高（）
A. K+
B. Na+
C. Cl-
D. Ca2+
E. H+

[单项选择]导致抑制性突触后电位发生的离子是（）
A. 钠离子
B. 钾离子
C. 钙离子
D. 氯离子
E. 镁离子

[单项选择]抑制性突触后电位产生的离子机制是（）
A. Na⁺内流
B. K⁺内流
C. Ca²⁺内流
D. CI^-内流
E. K⁺外流

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