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发布时间:2023-11-15 23:20:07

[单项选择]某计算机的存储系统由Cache-主存系统构成,Cache 的存取周期为10ns,主存的存取周期为50ns。在CPU 执行一段程序时,Cache 完成存取的次数为4800 次,主存完成存取的次数为200 次,则CPU 访问存储系统的平均访问时间是__(30)__ns,该Cache -主存系统的效率是__(31)__。
A. 10
B. 11.60
C. 11.68
D. 50

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[单项选择]某计算机的存储系统由Cache-主存系统构成,Cache 的存取周期为10ns,主存的存取周期为50ns。在CPU 执行一段程序时,Cache 完成存取的次数为4800 次,主存完成存取的次数为200 次,则CPU 访问存储系统的平均访问时间是__(30)__ns,该Cache -主存系统的效率是__(31)__。
A. 0.856
B. 0.862
C. 0.958
D. 0.960
[单项选择]某计算机的存储系统由Cache一主存系统构成,Cache的存取周期为10ns,主存的存取周期为50ns。在CPU执行一段程序时,Cache完成存取的次数为4800次,主存完成的存取次数为200次,该Cache一主存系统的效率是( )。
A. 0.856
B. 0.862
C. 0.958
D. 0.960
[单项选择]假设某计算机的存储系统由Cache和主存组成。某程序执行过程中访存1000次,其中访问Cache缺失(未命中)50次.则Cache的命中率是( )。
A. 5%
B. 9.5%
C. 50%
D. 95%
[单项选择]某计算机主存的读/写时间为100ns,其Cache的读/写时间为10ns,Cache的命中率为90%,那么每条指令的访存时间是______。
A. 15ns
B. 19ns
C. 16ns
D. 32ns
[简答题]某一页式系统,其页表存放在主存中:
如果对主存的一次存取需要1.5μs,试问实现一次页面访问时存取时间是多少
[简答题]某计算机的主存地址位数为32位,按字节编址。假定数据Cache中最多存放128个主存块,采用4路组相联方式,块大小为64Byte。每块设置了1位有效位“脏(Dirty)”位。要求:
(1)分别指出主存地址中标记(Tag)、组号(Index)和块内地址(Offset)三部分的位置和位数。
[单项选择]

某计算机主存按字节编址,主存与高速缓存Cache的地址变换采用组相联映像方式(即组内全相联,组间直接映像)。高速缓存分为2组,每组包含4块,块的大小为512B,主存容量为1MB。构成高速缓存的地址变换表相联存储器容量为()bit。每次参与比较的存储单元为()个。

构成高速缓存的地址变换表相联存储器容量为()bit。
A. 4×10bit
B. 8×10bit
C. 4×11bit
D. 8×11bit
[单项选择]某计算机的主存为3KB,则内存地址寄存器( )位就足够了。
A. 10
B. 11
C. 12
D. 13
[单项选择]若某计算机系统的I/O接口与主存采用统一编址,则输入输出操作是通过______指令来完成的。
A. 控制
B. 中断
C. 输入输出
D. 访存
[单项选择]某计算机主存容量为2048KB,这里2048KBHp为( )个字节。
A. 25×230
B. 2×220
C. 2048×106
D. 2048
[单项选择]某计算机主存容量为2048KB,这里2048KB即为( )个字节。
A. 2×230
B. 2×220
C. 2048×106
D. 2048
[简答题]某计算机的主存地址空间中,从地址0000H~3FFFH为ROM存储区域,从4000H~7FFFH为保留地址区域暂时不用,其余空间为RAM地址区域。CPU的地址线为A15~A0,数据线为D7~D0,现采用8K×8位的ROM和4K×8位的RAM设计本机的存储系统。
(1)计算实现该机的存储系统所需要的RAM和ROM的数量。
(2)完成存储系统设计并与CPU的连接。
[单项选择]为了提高主存存取速度,常常采用多个存储体交叉的存储办法,此时存储体地址放在主存地址()
A. 高位
B. 低位
C. 没有特殊要求
D. 用户指定
[单项选择]一个高性能的微机系统为满足用户希望的编程空间大、存取速度快、成本低等要求,常采用( )、主存、外存三级存储体系。
A. 内存
B. 辅存
C. Cache
D. Flash Memory
[单项选择]通常计算机的存储器是一个由Cache、主存和辅存构成的3级存储系统。辅助存储器一般可由磁盘、磁带和光盘等存储设备组成。Cache和主存一般是一种 (11) 存储器。在各种辅存中,除了 (12) 外,大多是便于脱卸和携带的。Cache存储器一般采用 (13) 半导体芯片,主存现主要由 (14) 半导体芯片组成。

A. DRAM
B. ROM
C. EPROM
D. SRAM

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