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[简答题]氮化镓GaN是制备白光二极管的材料，其晶体结构为纤锌矿(六方硫化锌)型。N的电负性为3.07，Ga的电负性为1.76；N3-的离子半径为0.148mm，Ca3+的离子半径为0.047nm。
结构中，负离子构成哪种堆积用四轴表示法写出密排晶面。
[简答题]禁带半导体材料（ZnO）具有纤锌矿六方结构，请问锌和氧的配位数各是多少？锌填充的是负离子堆积的哪种空隙？晶胞中这种空隙有多少个？锌占据了多少？
[简答题]画出下列晶胞(unit cell)图：
1．金刚石(C)。
2．纤锌矿(ZnO)。
3．钙钛矿(BaTiO3)。
4．方石英(SiO2)。
[单项选择]下列元素，电负性最大的是（）。
A. F
B. Cl
C. Br
D. I
[单项选择]下列元素中，电负性最大的是（）。
A. F
B. Ca
C. CI
D. N
[单项选择]下列元素电负性大小顺序中正确的是（）。
A. Be>B>AI>ME
B. B>A1>Be≈Mg
C. B>Be-≈AI>Mg
D. B≈A1
[单项选择]下列元素的电负性大小顺序中正确的是：（）
A. Be>B>Al>Mg
B. B>Al>Be≈Mg
C. B>Be≈AI>Mg
D. B≈Al>Be>Mg
[填空题]金属间化合物通常包括受电负性控制的______，以原子尺寸为主要控制因素的密排相和______，以及由电子浓度起主要控制作用的______。
[单项选择]制备渗透泵
A. 硅橡胶
B. 乙酸纤维素
C. 单硬脂酸甘油酯
D. 无毒聚氯乙烯
E. HPMC
[单项选择]制备植入剂
A. 硅橡胶
B. 乙酸纤维素
C. 单硬脂酸甘油酯
D. 无毒聚氯乙烯
E. HPMC
[单项选择]用于制备脂质体
A. Tween 80
B. 压敏胶
C. 卡泊姆
D. Azone
E. 卵磷脂
[单项选择]制备微囊的方法
A. 饱和水溶液法
B. 熔融法
C. 注入法
D. 复凝聚法 R．热分析法
