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发布时间:2023-10-22 09:38:15

[单项选择]对于大多数结晶物系,晶体成长的控制步骤为()。
A. 扩散过程
B. 表面反应过程
C. 传热过程
D. 3个过程共同控制

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[简答题]有哪些因素影响晶体成长速率?
[单项选择]下列哪些因素不能影响晶体成长速率()。
A. 温度
B. 压力
C. 杂质
D. 晶体大小
[单项选择]晶体管电动汽油泵由晶体管控制部分和泵油部分构成,其控制部分是一个()电路。
A. 振荡
B. 开关
C. 自励间歇振荡
D. 放大
[单项选择]在结晶过程中,杂质对晶体成长速率()。
A. 有抑制作用
B. 有促进作用
C. 有的有A作用,有的有B作用
D. 没有影响
[简答题]提高控制步骤的速度对于整个宏观速度有什么重要意义?
[判断题]相催化反应控制步骤分哪几种情况外扩散控制、内扩散控制、动力学控制(表面过程控制)
[单项选择]在同样的过饱和度下,较高温度时晶体成长的速率与晶核生成速率相比要()。
A. 慢
B. 快
C. 相等
D. 无法比较
[多项选择]对于晶体二极管,下列说法中正确的是()。
A. 最大反向电流大,说明二极管的单向导电性能好
B. 最大反向电流大,说明二极管受温度影响大
C. 二极的正向电压必须达到一定时,二极管才导通
D. 二极管正向导通后,正向电流可无限大
E. 当反向电压达到一定时,二极管反向导通会造成损坏
[多项选择]在晶体管AGC电路中,控制电压一般可控制晶体管的()。
A. 基极
B. 发射极
C. 集电极
[填空题]双极型晶体管是()控制器件,单极型晶体管是()控制器件。
[单项选择]对于晶体二极管来说,以下说法错误的是()。
A. 正向电阻很小
B. 无论加多大的反向电压,都不会导通
C. 未被反向击穿前,反向电阻很大
D. 所加正向电压大于死区电压时,二极管才算真正导通
[判断题]晶体管是电流控制型半导体器件,而场效应晶体管则是电压控制型半导体器件。
[判断题]晶体管是电流控制型半导体器件,而场效应晶体管则是电压型控制半导体器件。
[名词解释]晶体
[单项选择]碳化液在较大的过饱和度下开始结晶时,由于成核速率与相应的晶体成长速率相比要(),因此所得成品粒度会()。
A. 快,大
B. 快,小
C. 慢,大
D. 慢,小
[填空题]结晶操作时,溶液浓度对晶核形成和晶体成长有很大的影响。当饱和度低时,晶核生成(),()生长为()。
[填空题]石英晶体控制原理主要是利用了石英晶体的两个效应,即()和()。
[判断题]普通晶体三极管是电流控制器件。
[单项选择]双极型晶体管和场效应晶体管的控制信号(即驱动信号)为()。
A. 均为电压控制
B. 均为电流控制
C. 双极型晶体管为电压控制,场效应管为电流控制
D. 双极型晶体管为电流控制,场效应管为电压控制

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