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[填空题]在二极管上加反向电压时，在一定范围内，反向电流基本（），与反向电压的大小无关，通常称为反向饱和电流。
[简答题]简述PN结反向电压—电流特性；反向饱和电流及方向；PN结的电压—电流特性。
[判断题]正向饱和电流是衡量二极管质量优劣的重要参数。
[单项选择]测量锗三极管反向饱和电流，可用万用表电阻档R³100（或R³1000），对于NPN管，表笔连接方式正偏的是（）。
A. 红笔接发射极，黑表笔接集电极
B. 红笔拉发射极，黑笔接基极
C. 红接集电极，黑接发射极
D. 红接基极，黑接集电极
[简答题]为什么二极管具有单向导电性？硅二极管和锗二极管的正向电压分别是多少？
[简答题]硅二极管和锗二极管的死区电压的典型值约为多少？
[简答题]为什么二极管具有单向导电性？硅二极管和锗二极管的正向电压分别是多少伏？
[单项选择]硅晶体二极管与锗晶体二极管的导通压降分别为（）
A. 0.7V；0.3V
B. 0.2V；0.3V
C. 0.3V；0.7V
D. 0.7V；0.6V
[单项选择]三极管的反向饱和电流Icbo，是指发射极e开路时，（）极之间的反向电流。
A. e与b
B. e与c
C. c与b
D. b与f
[单项选择]当二极管外加反向电压超过一定数值后，反向电流突然（），此称为二极管反向击穿，这时所对应的电压称为反向击穿电压。
A. 猛减
B. 猛增
C. 先减少再增多
D. 先增多再减少
[单项选择]晶体三极管的反向饱和电流随温度升高而（）。
A. 不变
B. 升高
C. 降低
D. 时高时低
[填空题]由于有漏电电流流动，使所谓的反向饱和电流密度（），从而减少了开路电压。
[单项选择]关于反向饱和电流密度，以下说法中错误的是（）
A. p-n结两边掺杂浓度相差较大时，反向饱和电流密度主要由掺杂浓度较低的一侧贡献。
B. 在一定温度下，与Si材料相比，GaAs具有较小的有效态密度和较大的禁带宽度，所以GaAs可获得更低的反向饱和电流密度。
C. p-n结两边掺杂浓度越高，越有利于降低反向饱和电流密度。
D. 与半导体中的载流子寿命、扩散长度、导带价带的有效态密度、掺杂浓度以及禁带宽度有关。赋予他们恰当值可以得到较大的VOC。
[单项选择]温度升高时，晶体管的反向饱和电流将（）。
A. 增大
B. 减少
C. 不变
D. 不能确定
[单项选择]
三极管反向饱和电流Icbo与发射极穿透电流Iceo之间的关系为（），β为电流放大倍数。
A. Iceo＝Icbo；
B. Iceo＝（β＋1）Icbo；
C. Iceo＝βIcbo；
D. Iceo＝（β－1）Icbo。
[单项选择]当二极管反向击穿时，（）。
A. 反向电流剧减，二极管起稳压作用
B. 反向电流剧增，单向导电特性被破坏
[单项选择]当二极管反向电压持续增大到一定数值以后，反向电流会突然增大，此现象称二极管的（）
A. 伏安特性
B. 正向特性
C. 反向特性
D. 反向击穿特性
[单项选择]二极管反向电压持续增大到一定数值以后，反向电流会突然增大，此现象称二极管的（）。
A. 反向击穿特性
B. 安培特性
C. 反向特性
D. 伏安特性
