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[单选题]由于IGBT中双极型PNP型晶体管的存在,使IGBT的开关速度( )电力MOSFET。
A.低于
B.等于
C.高于
D.无法比较
[填空题]绝缘门极双极型晶体管（）驱动电路一般具备三个基本的要求:驱动（）.（）.保护IGBT。
[单选题]绝缘栅双极晶体管具有（ ）的优点。
A.A.晶闸管
B.B.单结晶体管
C.C.电力场效应管
D.D.电力晶体管和电力场效应管
[判断题]绝缘栅双极晶体管属于电流控制元件。（ ）
A.正确
B.错误
[单选题]下面哪个是绝缘栅双极晶体管的简称( )。
A.GTO
B.GTR
C.IGBT
D.MOSFET
[多选题]绝缘栅双极型晶体管兼有()的 特点。
A.MOSFET
B.GTO
C.GTR
D.SIT
E.SITH
[单选题]IGBT即绝缘栅双极晶体管,是( )端器件。
A.一
B.二
C.三
D.四
[判断题]绝缘栅双极晶体管的导通与关断是由栅极电压来控制的。（ ）
A.正确
B.错误
[判断题]逆变电路输出频率较高时,电路中的开关元件应采用电力场效应管和绝缘栅 双极晶体管。( )
A.正确
B.错误
[填空题]仪表配电线路的绝缘栅对其能否正常运行很关键,一般规定导线对地绝缘电阻及导线间绝缘电阻在500VAC测试电压下,应不小于（）兆欧
[填空题]绝缘栅双级晶体管具有速度快，输入阻抗高，（）低，耐压高，电容量大的特点。
[判断题]目前主存储器一般由两类半导体器件组成,它们是RAM和ROM。
A.正确
B.错误
[单选题]三极管内部由三层半导体材料组成,分别称为发射区、基区和集电区,结合处形成两个PN结,分别称为发射结和( )。
A.集中结
B.集成结
C.集电结
D.集合结
[单选题]普通晶闸管管心由( )层杂质半导体组成
A.1
B.2
C.3
D.4
[单选题]万用表的测量线路由电阻、半导体元件及（）组成。
A.电路
B.电池
C.电源
D.表笔
