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[单项选择]在热扩散工艺中的预淀积步骤中，砷和锑的扩散温度为（）。
A. 1050～1200℃
B. 900～1050℃
C. 1100～1250℃
D. 1200～1350℃
[单项选择]在热扩散工艺中的预淀积步骤中，硼在900～1050℃的条件下，扩散时间大约（）为宜。
A. 4～6h
B. 50min～2h
C. 10～40min
D. 5～10min
[单项选择]在热扩散工艺中的预淀积步骤中，硼在950～1100℃的条件下，扩散时间大约（）为宜。
A. 4～6h
B. 50min～2h
C. 10～40min
D. 5～10min
[判断题]在硅中固态杂质的热扩散需要三个步骤：预淀积、推进和激活。
[简答题]假设进行一次受固溶度限制的预淀积扩散，从掺杂玻璃源引入的杂质总剂量为Qcm-2。
[多项选择]扩散连接的工艺特点有（）。
A. 同种材料结合时几乎不存在残余应力
B. 精度高
C. 采用中问层可减少残余应力
D. 设备投资、成本低
E. 成本低
[简答题]什么是两步扩散工艺，其两步扩散的目的分别是什么？
[多项选择]扩散连接工艺接头形式设计有（）
A. 平板
B. 圆筒
C. 管
D. T形
E. 梁柱
[多项选择]扩散连接工艺参数选择主要有（）。
A. 温度
B. 压力
C. 时问
D. 气氛环境
E. 电压
[简答题]例举离子注入工艺和扩散工艺相比的优点和缺点。
[填空题]钢的氧化是一种扩散过程，所以温度愈高，扩散愈快，氧化速度（）。
[判断题]溶液温度不仅影响离子和分子的热运动，而且也影响水的粘度，所以提高溶液的温度能同时加快膜扩散和内扩散速度。离子交换设备运行时，一般将水温保持在20～40℃。温度低会明显降低离子交换速度，这也就是离子交换设备在冬季运行周期较短的原因之一。（）
[判断题]在一定范围内，提高水的温度能同时加快内扩散和膜扩散的速度。（）
[多项选择]扩散工艺使杂质由半导体晶片表面向内部扩散，改变了晶片（），所以晶片才能被人们所使用。
A. 内部的杂质分布
B. 表面的杂质分布
C. 整个晶体的杂质分布
D. 内部的导电类型
E. 表面的导电类型
[多项选择]扩散工艺在现在集成电路工艺中仍然是是一项重要的集成电路工艺，现在主要被用来制作（）。
A. 埋层
B. 外延
C. PN结
D. 扩散电阻
E. 隔离区
[单项选择]扩散工艺现在广泛应用于制作（）。
A. 晶振
B. 电容
C. 电感
D. PN结
[填空题]当温度升高时，溶质在气相中的分子扩散系数（），在液相中的分子扩散系数（）。
[填空题]扩散退火温度的上限一般不高于平衡图的（）线。
[填空题]扩散火焰的温度在（）最高，离开火焰锋面向内趋于（），向外趋于（），在扩散火焰中，可燃气和氧气是按（）速率相互扩散。
