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[单选题]测量电流互感器末屏tanδ,试验电压为(____)。
A.10kV
B.5kV
C.7.5kV
D.2kV
[单选题]测量电容式电流互感器末屏tanδ,试验电压为(____)kV。
A.10
B.5
C.4
D.2
[判断题]定子绕组直流耐压试验和泄露电流测量，试验电压应为电机额定电压的3倍（ ）
A.正确
B.错误
[单选题]测量电容型电流互感器的末屏及电压互感器接地端（N）对外壳（地）的绝缘电阻，绝缘电阻值不宜小于（ ）MΩ。（GB 50150—2016《电气装置安装工程 电气设备交接试验标准》10.0.3）
A.A.500
B.B.1000
C.C.1500
D.D.2500
[判断题]电容型电流互感器主绝缘测量一般采用反接线，测试一次绕组和末屏之间的tanδ和电容量。
A.正确
B.错误
[多选题],
关于电容型电流互感器高压介损测量,下列说法正确的是()。
A.绝缘良好的设备tgδ值不随试验电压的升高而偏大,只在接近额定电压时才略微增加。
B.绝缘严重受潮的设备在较低的电压下,tgδ值就较大,随着电压的升高tgδ值增大
C.发生气隙局放设备达到局放起始放电电压时,tgδ急剧增高
D.绝缘中含有离子型杂质的设备,tgδ随电压上升而下降
[判断题]采用正接线测量电容型电流互感器末屏对地的tanδ和电容量能灵敏地发现互感器主绝缘早期受潮故障。
A.正确
B.错误
[多选题]关于电容型电流互感器高压介质损测量，下列说法正确的是(____)。
A.绝缘良好的设备tgδ值不随试验电压的升高而偏大，只在接近额定电压时才略微增加
B.绝缘严重受潮的设备在较低的电压下，tgδ值就较大，随着电压的升高tgδ值增大
C.发生气隙局放设备达到局放起始放电电压时，tgδ急剧增高
D.绝缘中含有离子型杂质的设备，tgδ随电压上升而下降
[判断题]电容型电流互感器末屏对地绝缘电阻小于1000MΩ时，应测量末屏对地tgδ
A.正确
B.错误
[单选题]测量末屏对地绝缘电阻，能有效地监测电容型电流互感器(____)缺陷。
A.电容量增大
B. 变比减小
C. 进水受潮
D. 匝间短路
E.将一次绕组接地；
[判断题]对于诊断电容型电流互感器绝缘受潮缺陷，测量主绝缘的绝缘电阻比末屏的绝缘电阻灵敏度较高。
A.正确
B.错误
