更多"对于抑制性突触后电位的产生,正确的叙述是()"的相关试题:
[单项选择]抑制性突触后电位的产生,是由于突触后膜提高了
A. Ca2+的离子通透性
B. Cl-的离子通透性
C. K+的离子通透性
D. Na+和K+,尤其是Na+的离子通透性
E. Cl-和K+,尤其是Cl-的离子通透性
[单项选择]抑制性突触后电位产生时,突触后膜局部的变化是()
A. 极化
B. 超极化
C. 反极化
D. 复极化
E. 去极化
[单项选择]抑制性突触后电位产生的离子机制是()。
A. Na+内流
B. K+内流
C. Ca2+内流
D. Cl—内流
E. K+外流
[单项选择]抑制性突触后电位产生的离子机制主要是()
A. Na+内流
B. K+外流
C. Ca2+内流
D. Cl-内流
E. Na+内流和K+外流
[单项选择]F列关于抑制性突触后电位的叙述,正确的是( )(2006年)
A. 是局部除极化电位
B. 具有“全或无”性质
C. 是局部超极化电位
D. 由突触前膜递质释放量减少所致
E. 由突触后膜对钠通透性增加所致
[单项选择]
突触后膜对下列哪种离子通透性增加产生抑制性突触后电位()
A. Ca
2+B. Cl
-C. Na
+D. K
+E. Mg
2+
[单项选择]抑制性突触后电位是()
A. 去极化局部电位
B. 超极化局部电位
C. 具有全或无特性
D. 突触后膜Na+通透性增加所致
E. 突触前膜递质释放减少所致
[单项选择]抑制性突触后电位()。
A. 是去极化局部电位
B. 具有“全或无”性质
C. 是超极化局部电位
D. 是突触前膜递质释放量减少所致
[单项选择]可产生抑制性突触后电位的离子基础是()
A. K+
B. Na+
C. Ca2+
D. Cl-
E. Mg2+
[单项选择]抑制性突触后电位是指在突触后膜上发生的电位变化为
A. 极化
B. 超极化
C. 正后电位
D. 复极化
E. 去极化
[单项选择]抑制性突触后电位是由于突触后膜对哪些离子通透性改变所致
A. Cl-、K+,尤其是Cl-
B. Cl-、Na+、K+,尤其是K+
C. Na+、K+、Cl-,尤其是Na+
D. Ca2+、Na+、K+,尤其是Ca2+