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[单项选择]关于成像线圈的描述，错误的是（）
A. 接收信号线圈与发射线圈可以是同一线圈
B. 也可以是方向相同的两个线圈
C. 线圈平面与主磁场B0垂直
D. 工作频率需要尽量接近Lamor频率
E. 线圈发射RF对组织进行激励，在停止发射RF脉冲后接收MR信号
[单项选择]关于磁共振成像的描述，正确的是（）
A. 利用声波对置于磁场中具有自旋特性原子核的物质进行激发，产生核磁共振现象而进行的成像方法
B. 利用声波对置于磁场中不具有自旋特性原子核的物质进行激发，产生核磁共振现象而进行的成像方法
C. 利用射频电磁波对置于磁场中具有自旋特性原子核的物质进行激发，产生核磁共振现象而进行的成像方法
D. 利用射频电磁波对置于磁场中不具有自旋特性原子核的物质进行激发，产生核磁共振现象而进行的成像方法
E. 利用音频电磁波对置于磁场中具有自旋特性原子核的物质进行激发，产生核磁共振现象而进行的成像方法
[单项选择]关于针状成像板的描述，错误的是（）
A. 属于结构化的存储荧光体
B. 成像板的厚度可显著减小
C. 荧光的传播方向性更好
D. 影像锐利度更高
E. X线吸收效率显著增加
[单项选择]关于数字X线成像的描述中，错误的是
A. 得到的是数字化的图像
B. 可以通过PACS进行存储或传输
C. 成像速度比普通X线检查慢
D. 具有很高的图像质量
E. 降低了X线曝光量
[单项选择]关于CE-MRA成像的描述，错误的是（）
A. CE-MRA成像是一种重TWI成像
B. 应用对比剂的目的是缩短血液的T.值
C. 较长的TR和较小的翻转角可以获取最佳对比
D. 较短的TR和较大的翻转角可以获取最佳对比
E. 应用对比剂的剂量和注射速度应根据目标血管进行调整
[单项选择]关于PC-MRA成像的描述，错误的是（）
A. 利用流动使血液质子的相位变化进行成像
B. 利用流动使血液质子的频率变化进行成像
C. 编码流速的选择是PC-MRA成像的关键
D. PC-MRA采用双极性梯度对流动进行编码
E. PC-MRA图像可分为速度图像和流向图像
[单项选择]关于TOF-MRA成像的描述，错误的是（）
A. 是基于流入效应的MRA
B. 采用短TR快速扰相位GRET1WI进行成像
C. 采用短TR快速SET1WI进行成像
D. 信号采集模式可分为2D和3D
E. 3D-TOF比2D-TOF空间分辨力高
[单项选择]下列关于超声成像的优点描述不正确的是（）。
A. 能够方便动态实时观察
B. 能够很好地同时显示多个器官或结构的整体关系
C. 价格相对低廉
D. 能很好地检测心血管等运动器官的重要生理功能
E. 无创伤、无电离辐射
[多项选择]以下关于容积再现三维成像的描述，正确的是 （）
A. 采用扫描容积数据的所有体素
B. 能同时显示器官的空间结构和密度信息
C. 对于肿瘤组织与血管空间关系显示良好
D. 数据计算量大、耗时
E. 以三维图像的形式显示
[多项选择]关于CT心脏门控成像的描述，正确的是（）
A. 主要用于心脏冠状动脉的检查
B. 数据采集的空间分辨率是成像关键
C. 通过外周静脉注射对比剂
D. 专用心脏门控的图像重建方法
E. 可分为前瞻性和回顾性门控技术
[单项选择]关于磁共振成像噪声的描述，正确的是（）
A. MRI噪声主要来源于磁场不均匀性
B. MRI噪声主要来源于成像体的热噪声
C. MRI噪声主要来源于线圈的电噪声
D. MRI噪声与共振频率有关
E. MRI噪声主要来源于线圈的电噪声及成像体的热噪声
[单项选择]关于下肢CT血管成像的描述，下列哪项是错误的（）。
A. 下肢血管CT成像，是通过下肢CT增强扫描，利用后处理软件显示下肢血管和判断病变的
B. 显示血管形态、管腔狭窄的情况
C. 可显示病变供血的血管和病变对血管的侵犯程度
D. 可显示正常血管走向与变异，指导临床外科选择皮瓣
E. 为了显示病变，应该选用高压注射器，并从足背血管注入对比剂
[单项选择]关于MR加权成像技术，下列描述错误的是（）。
A. 在PDWI上，质子密度越高，MRI信号强度越大
B. 在T2WI上，组织的T2值越大，MRI信号强度越大
C. 在T1WI上，组织的T1值越小，MRI信号强度越大
D. 在T1WI上，组织的T1值越小，MRI信号强度越小
E. T2WI主要反映不同组织的横向弛豫差别
[单项选择]关于DSA成像的基本原理，哪项描述不正确。（）
A. 数字荧光成像（digitalfluorography，DF.是DSA的基础
B. 需将影像增强电视系统（imageintensifytelevision）图像像素化
C. 经A/D转换器，将像素转换为数字，即数字化
D. 经计算机减影处理
E. 图像进行模拟减影
[多项选择]关于MRI成像仪磁场强度定义，下列描述哪几项正确（）
A. 极低场MRI的磁场强度≤0.04T
B. 低场MRI的磁场强度0.1～0.38T
C. 中场MRI的磁场强度0.3～1.0T
D. 高场MRI的磁场强度范围≥1.5T
E. 高场MRI的磁场强度范围≥2.0T
