[判断题]传统的0.25μm工艺以上的器件隔离方法是硅的局部氧化。

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[简答题]简述局部加热元器件的方法。

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[单项选择]在IC芯片生长中浅沟槽隔离技术STI逐渐取代了局部氧化LOCOS所制成的（）而成为相邻电子元件的绝缘体
A. 栅氧化层
B. 沟槽
C. 势垒
D. 场氧化层

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[单项选择]介质隔离是以绝缘性能良好的电介质作为“隔离墙”来实现电路中各元器件间彼此电绝缘的一种隔离方法。常用的电介质是（）层。
A. 多晶硅
B. 氮化硅
C. 二氧化硅

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[填空题]准放电的目的是为了保护极板与（）隔离，防止氧化。

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[填空题]钛及钛合金焊接时，焊接坡口及两侧各（）以上应采用机械方法去除氧化膜。

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[单项选择]工艺隔离隔离方法并按从高级到低级顺序，以下正确是（）。
A. 拆卸隔离法、截断加盲板、双截断加放泄隔离法、单截断阀
B. 拆卸隔离法、双截断加放泄隔离法、截断加盲板、单截断阀
C. 双截断加放泄隔离法、拆卸隔离法、截断加盲板、单截断阀
D. 双截断加放泄隔离法、截断加盲板、拆卸隔离法、单截断阀

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[判断题]从宏观上看，整个烧结过程是还原过程，颗粒从微观上看，则在燃料的周围存在局部氧化反应。（）

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[简答题]氧化还原方法中常用的氧化剂？

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[单项选择]开关量输出模块在继电器输出方式中，（）作为开关器件，同时有是隔离器件
A. 继电器
B. 三极管
C. 模拟开关
D. 固态继电器

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[单项选择]开关量输出模块在可控硅输出方式中，（）作为开关器件，同时有是隔离器件
A. 继电器
B. 三极管
C. 模拟开关
D. 固态继电器

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[多项选择]解决发射干扰的基本方法是增加发射端与接收端的隔离，增加隔离主要方法有：（）。
A. 提高发射端滤波器的性能
B. 增加天线挂高
C. 共站时使用隔离板
D. 共站时采用天线空间隔离

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[简答题]普通GSM直放站，上下行之间的隔离靠什么器件？