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发布时间:2023-10-10 09:33:59

[单项选择]在低温结晶时,晶体成长速率主要受()控制。
A. 扩散过程
B. 表面反应过程
C. 传热过程
D. 三者共同

更多"在低温结晶时,晶体成长速率主要受()控制。"的相关试题:

[单项选择]下列哪些因素不能影响晶体成长速率()。
A. 温度
B. 压力
C. 杂质
D. 晶体大小
[单项选择]碳化液在较大的过饱和度下开始结晶时,由于成核速率与相应的晶体成长速率相比要(),因此所得成品粒度会()。
A. 快,大
B. 快,小
C. 慢,大
D. 慢,小
[单项选择]在同样的过饱和度下,较高温度时晶体成长的速率与晶核生成速率相比要()。
A. 慢
B. 快
C. 相等
D. 无法比较
[填空题]速率控制的效率要高于使用功率控制的效率,这是因为使用速率控制时总是可以使用满功率发送,而使用功率控制则()。
[多项选择]以下措施中,能降低加热炉低温露点腐蚀速率的有()。
A. 提高过剩空气系数
B. 降低燃料中硫含量
C. 降低空气预热器入口空气温度
D. 采用耐腐蚀材料
[判断题]在低温时,醚化反应速度低,反应速率由动力学控制。
[判断题]晶核形成的速度大于晶体成长的速度时,产品中晶体颗粒大而少。
[单项选择]轮廓标高低温试验的低温控制温度为()。
A. -30℃±3℃
B. -40℃±3℃
C. -50℃±3℃
D. -60℃±3℃
[填空题]EVDO采用速率控制代替()。
[填空题]双极型晶体管是()控制器件,单极型晶体管是()控制器件。
[单项选择]升压暖管时,升压速率控制()Mpa/min
A. 0.5
B. 1.0
C. 0.1
D. 0.2
[多项选择]在晶体管AGC电路中,控制电压一般可控制晶体管的()。
A. 基极
B. 发射极
C. 集电极
[单项选择]轮廓标高低温试验的高温控制温度()。
A. 50℃±3℃
B. 60℃±3℃
C. 70℃±3℃
D. 80℃±3℃
[填空题]在路堤填筑过程中,必须控制填土速率。控制标准应为:路堤中心地面沉降速率≤(),坡脚水平位移速率≤()。
[多项选择]实现自适应多速率控制(AMRC)的好处在于().
A. 提高通话质量
B. 增加系统容量
C. 有效扩展上行链路语音业务的覆盖区域
D. 为运营商提供操作灵活性
[判断题]初级自由基的形成速率是链引反应的控制步骤并最终控制聚合反应速率。
[单项选择]对复苏患者进行低温治疗,控制最适低温是()。
A. <30℃
B. <32℃
C. 30~32℃
D. 32~34℃
E. 34~36℃
[多项选择]块矿反应动力学的反应区域模型中,速率控制步骤是()。
A. 浸出剂通过固液边界层
B. 浸出剂穿越已反应区进入到反应区内部
C. 反应区内部反应速率
D. 固体产物的结晶速率

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