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[单选题]电力场效应管 MOSFET ( )现象。
A.有二次击穿
B.无二次击穿
C.防止二次击穿
D.无静电击穿
[单选题]电力场效应管MOSFET适于在( )条件下工作
A.直流
B.低频
C.中频
D.高频
[单选题]电力场效应管MOSFET是理想的( )控制器件。
A.电压
B.电流
C.电阻
D.功率
[单选题]电力场效应管MOSFET在使用和存放时,要防止( )
A.时间久而失效
B.二次击穿
C.静电击穿
D.饱和
[判断题]（ ）电力场效应管MOSFET在使用时要防止静电击穿.
A.正确
B.错误
[单选题]电力晶体管的开关频率( )电力场效应管。
A.稍高于
B.低于
C.远高于
D.等于
[单选题]电力晶闸管的开关频率( )电力场效应管的开关频率。
A.稍高于
B.低于
C.远高于
D.等于
[单选题]绝缘栅双极晶体管的开关速度( )电力场效应管。
A.稍高于
B.低于
C.等于
D.远高于
[单选题]绝缘栅双极晶体管的开关速度比电力场效应管的( )。
A.高
B.相同
C.低
D.不一定高
[单选题]在斩波器中,采用电力场效应管可以()。
A.提高斩波频率
B.降低斩波频率
C.提高功耗
D.降低斩波效率
[判断题]()场效应管的低频跨导是描述栅极电压对漏极电流控制作用的重要参数,其值愈大,场效应管的控制能力愈强。
A.正确
B.错误
[判断题]（ ）斩波器中采用电力场效应管后不能提高斩波频率.
A.正确
B.错误
