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[单项选择]当高能电子束能量增大时，其PDD曲线随能量变化的关系是（）
A. PDD表面剂量减少、坪区增宽、剂量梯度减少以及X射线污染增加
B. PDD表面剂量增加、坪区增宽、剂量梯度减少以及X射线污染增加
C. PDD表面剂量增加、坪区变窄、剂量梯度减少以及X射线污染增加
D. PDD表面剂量增加、坪区增宽、剂量梯度增大以及X射线污染增加
E. PDD表面剂量增加、坪区增宽、剂量梯度减少以及X射线污染减少
[单项选择]使用高能电子束照射时，其PDD随射野面积变化的关系是（）。
A. 射野较大时PDD随深度增加而迅速减少，射野减小时PDD不再随射野增加而变化
B. 射野较小时PDD随深度增加而迅速减少，射野减小时PDD不再随射野增加而变化
C. 射野较小时PDD随深度增加而迅速减少，射野增大时PDD不再随射野增加而变化
D. 低能时射野对PDD的影响较大
E. 对较高能量电子束，使用较小的射野时PDD随射野的变化较小
[单项选择]钢轨的预热闪光焊的闪平阶段（）曲线起主导作用，其余两曲线随该曲线变化而变化。
A. f
B. i
C. s
D. v
[单项选择]如果测得某能量的高能电子束PDD曲线，则电子束的模体表面平均能量是（）
A. 2.33Rs
B. 2.33R50MeV
C. 2.33R80MeV
D. 2.059RsMeV
E. 2.059R50MeV
[单项选择]高能电子束的PDD曲线可大致分为以下几个区域（）。
A. 剂量建成区、高剂量坪区、低剂量区
B. 表面剂量区、低剂量坪区、剂量上升区
C. 表面剂量区、剂量跌落区、低剂量坪区以及X射线污染区
D. 表面剂量区、高剂量坪区、剂量跌落区以及X射线污染区
E. 剂量建成区、高剂量坪区、剂量跌落区以及X射线污染区
[单项选择]TAR与PDD的关系（）。
A. TAR=PDD
B. TAR=PDD·BSF
C. TAR=PDD·BSF·［（f+D.／（f+dm）］
D. TAR=PDD·BSF·［（f+D.／（f+dm）］2
E. E.TAR=PDD·BSF·［（f+dm）／（f+］2
[单项选择]由中心轴百分深度剂量（PDD）曲线可以看出，对于高能X（γ）射线（）。
A. 能量增大时，表面剂量增加，建成区变窄，最大剂量深度减少
B. 能量增大时，表面剂量减少，建成区增宽，最大剂量深度增加
C. 能量增大时.表面剂量减少，建成区变窄，最大剂量深度增加
D. 能量增大时，表面剂量增加，建成区增宽，最大剂量深度增加
E. 能量减少时，表面剂量减少，建成区增宽，最大剂量深度减少
[单项选择]当高能电子线能量增加时（）
A. 皮肤剂量Ds下降，建成深度变深，电子射程增大
B. 皮肤剂量Ds下降，建成深度变浅，电子射程增大
C. 皮肤剂量Ds上升，建成深度变深，电子射程增大
D. 皮肤剂量Ds上升，建成深度变浅，电子射程增大
E. 皮肤剂量Ds上升，建成深度不变，电子射程增大
[填空题]磁化曲线随晶轴方向的不同而有所差别，即磁性随晶轴方向显示各向异性，这种现象称为（），它存在于所有铁磁性晶体中，在（）中不存在。
[单项选择]原子从基态激发至高能态，但不是从高能态回至基态，而是跃迁到能量高于基态的亚稳态，这时产生的荧光称为（）。
A. 共振荧光
B. 直跃线荧光
C. 阶跃线荧光
D. 敏化荧光
[单项选择]下列与化学反应能量变化相关的叙述正确的是（）。
A. 生成物总能量一定低于反应物总能量
B. 放热反应的反应速率总是大于吸热反应的反应速率
C. 应用盖斯定律，可计算某些难以直接测量的反应焓变
D. 同温同压下，H2>（g）+Cl2（g）＝2HCl（g）在光照和点燃条件下的△H不同
[单项选择]1个葡萄糖分子有氧呼吸释放能量为m，其中40%用于ADP转化为ATP，若1个高能磷酸键所含能量为n，则1个葡萄糖分子在有氧呼吸中产生ATP分子数为（）
A. 2n/（5m）
B. 2m/（5n）
C. n/（5m）
D. m/（5n）
