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[单项选择]经超声清洁后的PFM金属基底放在烤瓷炉内加温除气，除气是为了（）。
A. 加强金属底层冠的强度
B. 改善陶瓷的强度
C. 加强金一瓷结合力
D. 改善金属表面色泽
E. 加强陶瓷的对光通透性
[单项选择]制作PFM全冠时，金属基底表面氧化膜厚度最佳值为（）。
A. 0.2～2μm
B. 5～10μm
C. 15～20μm
D. 25～30μm
E. 30μm以上
[单项选择]PFM金属基底冠厚度一般为（）
A. 0.1～0.2mm
B. 0.2～0.3mm
C. 0.3～0.5mm
D. 0.5～0.7mm
E. 0.7～1.00mm
[单项选择]PFM制作时，金属基底表面喷砂处理，形成凹凸不平的表层，其目的主要是为了增加哪种结合力（）
A. 机械结合
B. 物理结合
C. 压缩力结合
D. 化学结合
E. 以上均不是
[单项选择]某技师将瓷层已堆筑完成的PFM冠送入烤瓷炉中进行烧结，程序完成后发现冠表面所有体瓷全部爆裂，其原因可能是（）。
A. 干燥、预热时间太长，瓷粉失水
B. 未干燥、预热直接升温
C. 烤瓷炉真空度过高
D. 烧结温度过高
E. 升温速率过低
[单项选择]真空烤瓷炉对其温度参数和时间参数进行精密的控制。在使用中要求操作人员按严格的程序进行操作。真空烤瓷炉的温度参数和时间参数主要包括（）。
A. 预热温度，烤瓷温度，预热时间，烤瓷时间，最终温度持续时间
B. 预热温度，烤瓷温度，预热时间，烤瓷时间，最终温度持续时间，真空烤瓷时间
C. 现时温度，烤瓷温度，预热时间，烤瓷时间，最终温度持续时间，真空烤瓷时间
D. 现时温度，最终温度，预热时间，升温时间，最终温度持续时间，真空烤瓷时间
E. 现时温度，最终温度，预热时间，烤瓷时间，最终温度持续时间，真空烤瓷时间
[单项选择]应用回切法制作PFM金属基底蜡型时，回切厚度下列说法正确的是（）
A. 切缘2.0～2.5mm，唇侧1.5mm，舌侧1.0mm
B. 切缘1.5～2.0mm，唇侧1.0mm，舌侧0.5～1.0mm
C. 切缘2.0～2.5mm，唇侧1.0mm，舌侧0.5～1.0mm
D. 切缘1.5～2.0mm，唇侧1.5mm，舌侧0～1.0mm
E. 切缘1.5～2.0mm，唇侧1.0mm，舌侧1.5mm
[单项选择]用烤瓷炉烧烤烤瓷牙的温度范围是（）。
A. 100～200℃
B. 300～499℃
C. 500～860℃
D. 871～1260℃
E. 2000～2500℃
[单项选择]患者男，30岁，牙冠切1／3折断，已行根管充填，要求做PFM冠修复金属基底熔模的制作方法最新要求是采用（）。
A. 直接成形法
B. 全冠外形再现后烫蜡成形法
C. 直接间接法
D. 间接直接法
E. 以上都不正确
[单项选择]烤瓷炉真空调节装置的作用是（）。
A. 防瓷体氧化
B. 调节炉膛温度
C. 排除炉膛内的空气，保持炉内真空度
D. 调节炉膛压力
E. 调节炉膛升降
[单项选择]新启用的烤瓷炉使用前必须（）。
A. 按启动键
B. 按炉膛升降键
C. 抽真空
D. 将烤瓷件加温
E. 根据不同的烤瓷材料进行程序设定
[单项选择]金瓷结合界面处理恰当与否关系到金瓷结合强度，因此严格进行正确的处理才能保证PFM冠的质量PFM基底冠在预氧化处理中不正确的是（）。
A. 非贵金属在烤瓷炉内真空状态下加热形成氧化膜
B. 贵金属在炉内半真空状态下加热形成氧化膜
C. 非贵金属在炉内非真空状态下加热形成氧化膜
D. 非贵金属预氧化烧结的温度与0P层烧结的温度相同
E. 理想的氧化膜厚度为0.2～2μm
[单项选择]烤瓷冠在烤瓷炉内烧结每分钟的升温速率是（）。
A. 35～45℃
B. 45～49℃
C. 50～55℃
D. 55～60℃
E. 60～70℃
