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[单项选择]NPN型三极管放大电路中，当集电极电流增大时，则晶体三极管（）
A. 集电极对发射极的电压VCE下降
B. 基极电流增大
C. 集电极对发射极的电压VCE上升
[判断题]N型半导体多数载流子是电子，因此N型半导体带负电。（）
[单项选择]一个NPN型三极管，其基极、集电极、发射极电位分别是3.7V、5.4V，3V，此三极管处于（）状态。
A. 放大
B. 饱和
C. 截止
D. 无法判定
[填空题]在P型半导体中（）是多数载流子；在N型半导体中电子是多数载流子。
[判断题]在N型半导体中，电子是少数载流子，空穴是多数载流子。（）
[单项选择]半导体中的载流子是电子和（）。
A. 电子
B. 空穴
C. 离子
[判断题]由于P型半导体中含有大量空穴载流子，N型半导体中含有大量电子载流子，所以P型半导体带正电，N型半导体带负电。
[简答题]5）在电离室外加电压所形成的电场中，载流子中的电子和离子会开始漂移，电子和离子的饱和漂移速度分别大约是什么量级？载流子的漂移速度与它们在外电路形成的感应电流大小之间存在什么关系？为什么电子在外电路的感应电流大于离子在外电路的感应电流？电子感应电流流过的总电荷量是否一定比离子相应的总电荷量大？是什么决定了电子（或离子）感应电流流过总电荷量的大小？
[单项选择]三极管发射区和基区之间的PN结称为发射结，集电区和基区之间的PN结称为（）。
A. 基结
B. 集电结
C. 公共结
D. 发射结
[多项选择]按载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为（）。
A. 单极型
B. 双极型
C. 多极型
D. 混合型
[填空题]晶体管包含三个区：集电区，（）和发射区。
[简答题]半导体探测器具有非常好的能量分辨率特性和较高的本征探测效率，它的载流子是“电子——空穴对”。哪么产生一个“电子－空穴对”需要的平均电离能是多少？法诺因子的范围是多少？
[单项选择]体管分为三层分别为：发射区、基区和（）。
A. 集电区
B. 收集区
C. 放大区
D. 扩张区
[简答题]载流子在产生之后会有哪些过程使之损失或无法形成信号？为什么希望载流子的寿命长？
[简答题]如果没有外加电压，载流子在电离室中产生之后会经历哪些物理过程，这些过程对载流子的影响是什么？
[单项选择]半导体材料的电阻率与载流子浓度有关，同样的掺杂浓度，载流子的迁移率越大，材料的电阻率（）
A. 越高
B. 不确定
C. 越低
D. 不变
[单项选择]半导体中的载流子（）。
A. 只有电子
B. 只有空穴
C. 只有价电子
D. 自由电子和空穴
