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[填空题]
本征半导体硅的禁带宽度是1.14eV，它能吸收的辐射的最大波长为（）。（普朗克恒量h＝6.63×10-34J·s，1eV＝1.6×10-19J）
[单项选择]用能量（）禁带宽度的光子照射p-n结会产生光生伏特效应。
A. 低于
B. 等于或大于
C. 大于
[单项选择]纯净的半导体是（）下几乎是不导电的，又称本征半导体。
A. 低温
B. 高温
C. 常温
D. 室温
[判断题]本征半导体温度升高后两种载流子浓度仍然相等。
[判断题]本征半导体的导电能力远不如金属的导电能力好
[判断题]本征半导体中的自由电子和空穴是成对出现的。（）
[单项选择]按照能带结构理论，本征半导体的能带可以分为（）个。
A. 1
B. 2
C. 3
D. 4
[判断题]本征半导体中的自由电子和空穴总是成对出现的，同时产生的。（）
[单项选择]如在半导体的禁带中有一个深杂质能级位于禁带中央，则它对电子的俘获率（）空穴的俘获率。
A. 大于
B. 等于
C. 小于
D. 有效的复合中心
[判断题]杯口模的上口宽度和下口宽度应比柱角宽度小。
[填空题]当堰的溢流宽度与上游渠道宽度相等时，称为（）的堰流，当堰的溢流宽度小于上游渠道宽度时，称为（）的堰流。
