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发布时间:2023-12-21 04:14:58

[单选题]特高频信号在GIS内部传播过程中会受到衰减,对传播影响严重的两种情况为GIS管体拐角和金属屏蔽盆式绝缘子注胶孔,下面对两种因素说法正确的是()
A.A、拐角高频成分衰减严重,注浇孔低频成分衰减严重;
B.B、拐角低频成分衰减严重,注浇孔高频成分衰减严重;
C.C、两者都对低频成分产生严重衰减;
D.D、两者都对高频成分产生严重衰减;

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[判断题]导致特高频局部放电信号在GIS内部传播过程中衰减的最主要原因是GIS内SF6气体引起的波导体积中的介质损耗
A.正确
B.错误
[判断题]特高频信号在GIS中传播时发生衰减,若特高频局放信号幅值为400mV,传播至某处时信号衰减12dB,则该处信号幅值应为200mV
A.正确
B.错误
[多选题]用特高频法进行GIS局部放电检测过程中,常有各类干扰信号,下述对干扰信号的排除或抑制方法正确的是( )
A.移动电话干扰,采取现场检测时手机关机方式
B.外部电晕干扰,采用高通滤波器、方向排除法或屏蔽法
C.荧光灯干扰,关闭测试现场的灯
D.外部悬浮电极干扰,采用放电源定位法定位出外部悬浮电极,情况允许的条件下使悬浮电极接地
[判断题]GIS特高频信号经过连续绝缘盆传播,在第一个绝缘盆上的衰减要比其他盆式绝缘子高
A.正确
B.错误
[判断题]GIS中局放产生的特高频信号在壳体内传播时,在经过隔离开关及断路器等不连续点后衰减最严重
A.正确
B.错误
[判断题]特高频局部放电检测信号传播衰减小,检测范围大,通常可达十几米,对GIS的各种放电性缺陷均具有较高的敏感度。
A.正确
B.错误
[单选题]在GIS中,固体绝缘内部气隙的等效直径增大时,其产生的局部放电特高频信号幅值的变化趋势是( )
A.随之增大
B.基本不变
C.随之减小
D.不确定
[判断题]利用A、B两个特高频传感器对GIS内部缺陷进行定位,A传感器先于B传感器25ns收到信号,若两个传感器之间距离为10米,则缺陷位置在AB之间距B7.75米
A.正确
B.错误
[单选题]对于GIS特高频检测干扰信号特征下面说法正确的是( )。
A.荧光干扰,局部放电信号幅值分布较为分散,一般情况下工频相关性弱;
B.手机干扰,局部放电信号工频相关性弱,有特定的重复频率,幅值无规律变化;
C.电机干扰,局部放电信号无工频相关性,幅值分布较为分散,重复率高;
D.雷达干扰,局部放电信号有规律重复产生有工频相关性,幅值变化有规律
[单选题]特高频GIS局放检测仪传感器及放大器的频带宽度一般为 (____)。
A.A、10kHz-100kHz
B.B、300MHz-1.5GHz
C.C、100kHz-10MHz
D.D、1GHz-10GHz
[单选题]在GIS中局部放电特高频电磁波传播经过以下那种结构,造成的衰减最大( )。
A.盆式绝缘子
B.L型结构
C.T型结构直线放线
D.T型结构拐弯放线
[多选题]在GIS中当放电源越接近于外导体时,关于其激发的特高频信号特征以下说法错误的是( ) 。
A.激发的特高频信号高次模分量越多
B.特高频信号幅值增大
C.特高频信号幅值无变化
D.高频分量相对减小
[判断题]在GIS中,悬浮金属体与电极之间的距离减小时,其产生的局部放电特高频信号幅值的变化趋势是随之减小
A.正确
B.错误

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