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[单选题]试品电容量15000pF，使用QS1型西林电桥，施加10kV测量其tgδ时，电桥分流器位置宜选定在（ ）档位置。
A.0.01
B.0.025
C.0.06
D.0.15
[单选题] 试品电容量约15000pF,使用西林电桥,施加10kV测量其tanδ时,电桥分流器位置宜选定在( )挡位置。
A. 0.01;
B. 0.025;
C. 0.06;
D. 0.15。
[单选题]变压器外壳在运行中直接接地，所以现场测试时采用QS1型西林电桥( )。
A.正接法
B.反接法
C.末端屏蔽法
D.外接试验电压法
[判断题]QS1电桥内有一套低压电源和低压标准电容器,可测量电容量为300PF~100μF的试品。
A.正确
B.错误
[判断题]5.84.第87题
在进行较大电容量被试品的变频耐压试验时,应直接在被试品端部进行电压测量。
A.正确
B.错误
[判断题]绝缘介质在交流电压作用下,其中电容性的电流的大小与被试品的电容量大小有关。
A.正确
B.错误
[单选题]2.227. 第227题
电容量和介质损耗因数测试被试品连同油浸绕组测量温度以顶层油温为准,尽量使每次测量的温度相近,且应在变压器顶层油温低于( )时测量,不同温度下的tanδ值应换算到同一温度下进行。
A.50℃
B.60℃
C.70℃
D.80℃
[判断题]对高压电容式绝缘结构的试品，不仅要监测其绝缘介质损耗因数，还要监测其电容量的相对变化。
A.正确
B.错误
[单选题]高压断路器绝缘电阻测试前将被试品接地放电，对电容量较大者（如GIS等），应充分放电( )以上。
A.10min
B.5min
C.3min
D.1min
[判断题]由于被试品电容量较小，一般只要有相应电压等级的低频试验变压器即可。
A.正确
B.错误
[判断题]由于被试品电容量较小，一般只要有相应电压等级的工频试验变压器即可。
A.正确
B.错误
