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[单选题]4.130.
(____)适用于测量变压器、互感器、套管、耦合电容器等电容型绝缘结构设备的局部放电量。
A.脉冲电流法
B.分布式局部放电检测法
C.超高频电磁波法
D.超声波法
[判断题]少油电容型设备如耦合电容器、互感器、套管等,严重缺油后,测量的电容量Cx变大( )。
A.正确
B.错误
[单选题]2.94.第94题
少油电容型设备如耦合电容器、互感器、套管等,严重缺油后,测量的电容量Cx变大( )。
A.正确
B.错误
[判断题]电容型设备如耦合电容器、套管、电流互感器等, 其电容屏间绝缘局部层次击穿短路后,测得的电容量Cx 变大。
A.正确
B.错误
[判断题]电容型设备如耦合电容器、套管、电流互感器等,其电容屏间绝缘局部层次击穿短路后,测得的电容量Cx变 大( )。
A.正确
B.错误
[单选题]2.119. 第119题
电容型设备如耦合电容器、套管、电流互感器等,其电容屏间绝缘局部层次击穿短路后,测得的电容量Cx(
) 。
A.变大
B.变小
C.不变
D.为零。
[单选题]3.150. 第150题
电容型设备如耦合电容器、套管、电流互感器等,其电容屏间绝缘局部层次击穿短路后,测得的电容量Cx变大( )。
A.正确
B.错误
[单选题]4.136. 第136题
电容型设备如耦合电容器、套管、电流互感器等,其电容屏间绝缘局部层次击穿短路后,测得的电容量Cx变小。
A.正确
B.错误
[单选题]当电容型套管或电流互感器末屏对地绝缘电阻低于( )MΩ时应测量末屏对地的tanδ。
A.1000
B.2000
C.5000
D.10000
[判断题] 电流互感器的需要接地部位有电流互感器外壳、电容型绝缘的电流互感器的一次绕组包绕的末屏引出端子及铁芯引出端子、暂不使用的二次绕组、二次回路
A.正确
B.错误
[单选题]电流互感器分为测量用电流互感器、计量用电流互感器和()用电流互感器。
A.试验
B.保护
C.跳闸
D.运行
[判断题]110kVGIS电流互感器采用套管式电流互感器结构,它一般安装在断路器旁边。电流互感器是变电站的测量和保护系统的信号来源之一。
A.正确
B.错误
[判断题]110kv GIS电流互感器采用套管式电流互感器结构,它一般安装在断路器旁边。电流互感器是变电站的测量和保护系统的信号来源之一。
A.正确
B.错误
[判断题]对高压电容式绝缘结构的套管、互感器及耦合电容器,不仅要监测其绝缘介质损耗因数,还要监测其电容量的相对变化。( )
A.正确
B.错误
[单选题]3.152. 第152题
对高压电容式绝缘结构的套管、互感器及耦合电容器,不仅要监测其绝缘介质损耗因数,还要监测其电容量的相对变化( )。
A.正确
B.错误