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[单选题]双绕组变压器中,已知C1、tanδ1和C2、tanδ2分别为高压绕组对地和高压绕组对低压绕组两次测量所得的电容量和介质损耗因数,C12、tanδ12为高压绕组对地和低压绕组整体测量得到的电容、介质损耗因数,其测量数据关系正确的是( )。
A.tanδ12=(C1tanδ1+C2tanδ2)/(C1+C2)
B.tanδ12=(C1tanδ2+C2tanδ1)/(C1+C2)
C.tanδ12=(C1tanδ1-C2tanδ2)/(C1-C2)
D.tanδ12=(C2tanδ2+C12tanδ12)/(C2+C12)
[判断题]大型变压器测量直流泄漏电流容易发现局部缺陷,而测量tanδ不易发现局部缺陷。
A.正确
B.错误
[判断题] 无干扰情况下测量变压器绕组连同套管的tanδ出现负值可能是标准电容器tanδ大于变压器绕组连同套管的tanδ( )。
A.正确
B.错误
[单选题]测量变压器绕组绝缘的tanδ时,非被试绕组应( )。
A.对地绝缘
B.开路
C.短接
D.短接后接地或屏蔽
[判断题] 对三绕组变压器,当测量高压绕组与中压绕组间的损耗时,低压绕组应短路。( )
A.正确
B.错误
[判断题]交接试验时测量电力变压器绕组连同套管的tanδ值不应大于产品出厂试验值。
A.正确
B.错误
[单选题]2.207.
当测量大型变压器绕组的tanδ时，其值的大小决定于缺陷部分（ ）。
A.损耗与总电容之比；
B.损耗与总电阻之比；
C.tanδ；
D.总体电阻
[单选题]当测量大型变压器绕组的tanδ时,其值的大小决定于缺陷部分( );当局部缺陷的tanδ值虽已很大时,但与总体电容之比的值仍然很小,只有当缺陷面积较大时,总介质损耗因数才增大,所以不易发现缺陷。
A.tanδ
B.总体电阻
C.损耗与总电容之比
D.损耗与总电阻之比
[单选题]2.207. 第207题
当测量大型变压器绕组的tanδ时,其值的大小决定于缺陷部分( )。
A.损耗与总电容之比;
B.损耗与总电阻之比;
C.tanδ;
D.总体电阻
[判断题]变压器的绕组一般低压绕组在外层，高压绕组在里层。
A.正确
B.错误
[单选题]在进行绕组直流泄漏电流测量时，测量绕组短路加压，其它绕组应（）。
A.短路
B.不接地
C.接地
D.短路并接地
[单选题]10kV配变绕组电阻测量时，高压绕组电阻线不平衡率≤______，低压绕组电阻线不平衡率≤______。
A.2%，4%；
B.4%，2%；
C.4%，4%；
D.2%，2%
[判断题] 变比为10:1的变压器,测量其绕组直流电阻时,应该是高压绕组值为低压绕组电阻值的10倍。
A.正确
B.错误
[判断题]用2500V兆欧表测量变压器的绝缘电阻时，高压绕组对低压绕组的绝缘电阻测量值不得低于1000MΩ。（）
A.正确
B.错误
[简答题]䐁11.为什么变压器的低压绕组在里边而高压绕组在外边?
[多选题]变压器的低压绕组在里边，高压绕组在外边的原因是( )。
A.变压器的电压调节是靠改变电压绕组匝数来达到的，高压绕组安置在外边，做抽头-引出线比较容易
B.变压器铁芯是接地的，低压绕组靠近铁芯从绝缘角度容易做到
C.比较美观
D.若将高压绕组靠近铁芯，由于绕组电压高达到绝缘要求就需要加强绝缘材料和较大的绝缘距离，增加了绕组的体积和材料的浪费
[判断题]儃41.电力变压器的低压绕组在外面，高压绕组靠近铁芯。( )
A.正确
B.错误
[判断题]儅41.电力变压器的低压绕组在外面，高压绕组靠近铁芯。( )
A.正确
B.错误
