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[单项选择]电力场效应管MOSFET是理想的（）控制器件。
A. 电压
B. 电流
C. 电阻
D. 功率
[单项选择]电力场效应管MOSFET（）现象。
A. 有二次击穿
B. 无二次击穿
C. 防止二次击穿
D. 无静电击穿
[单项选择]电力场效应管MOSFET适于在（）条件下工作。
A. 直流
B. 低频
C. 中频
D. 高频
[判断题]电力场效应管MOSFET在使用时要防止静电击穿。
[单项选择]电力晶体管的开关频率（）电力场效应管。
A. 稍高于
B. 低于
C. 远高于
D. 等于
[单项选择]绝缘栅双极晶体管的开关速度（）电力场效应管。
A. 稍高于
B. 低于
C. 等于
D. 远高于
[单项选择]电力场效应管适用于（）容量的设备。
A. 高速大
B. 低速大
C. 高速小
D. 低速小
[单项选择]绝缘栅双极晶体管的开关速度比电力场效应管的（）。
A. 高
B. 相同
C. 低
D. 不一定高
[判断题]在斩波器中，采用电力场效应管后可降低对滤波元器件的要求，减少了斩波器的体积和重量。
[判断题]斩波器中采用电力场效应管后可以提高斩波频率。
[单项选择]在斩波器中，采用电力场效应管可以（）。
A. 提高斩波频率
B. 降低斩波频率
C. 提高功耗
D. 降低斩波效率
[填空题]半导体三极管与场效应管的一个重要区别是：三极管为（）控制元件，场效应管为（）控制元件。
[简答题]场效应管全称是什么？表示符号是什么？按其结构分为哪几种？场效应管的性能及应用怎样？
[判断题]场效应管的低频跨导是描述栅极电压对漏极电流控制作用的重要参数，其值愈大，场效应管的控制能力愈强。
[判断题]逆变电路输出频率较高时，电路中的开关元件应采用电力场效应管和绝缘栅双极晶体管。
