[判断题]()晶体管是电流控制型半导体器件,而场效应晶体管则是电压型控制半导体器件。
A.正确
B.错误

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[判断题]绝缘栅双极型晶体管不具有电力场效应晶体管和电力晶体管的优点。( )
A.正确
B.错误

[判断题]绝缘栅双极型晶体管的本质就是一个场效应晶体管。
A.正确
B.错误

[单选题]电力场效应晶体管 MOSFET 是理想的( )控制器件。
A.电压
B.电流
C.电阻
D.功率

[单选题]双极型晶体管和场效应晶体管的控制信号为（）。
A.电压
B.电流
C.双极型为电压、场效应为电流
D.双极型为电流、场效应为电压

[单选题]电力晶体管的开关频率( )电力场效应晶体管的开关频率。
A.稍高于
B.低于
C.远高于
D.等于

[判断题]结型场效应晶体管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压, 才能保证其 R_GS 大的特点。( )
A.正确
B.错误

[判断题]电力场效应晶体管可应用于DC/DC变换、开关电源便携式电子设备等电子电器设备中，但工作电压还不能太高，电流容量也不能太大，所以目前只适用于小功率电力电子装置。
A.正确
B.错误

[单选题]电力场效应晶体管 MOSFET 适于在( )条件下工作。
A.直流
B.低频
C.中频
D.高频

[单选题]功率场效应晶体管的三个引脚符号为( )。
A.源极 S,漏极 D发射极 E
B.漏极 D发射极 E集电极 CG
C.枬极 G发射极 E集电极 C
D.源极 S,漏极 D概极 G

[判断题]场效应晶体管源极输出器类似于共集电极电路。（）
A.正确
B.错误

[判断题]电力场效应晶体管 MOSFET 在使用时要防止静电击穿。( )
A.正确
B.错误

[判断题]场效应管是单极性电压控制型半导体器件。（）
A.正确
B.错误

[判断题]电力场效应晶体管有三个引脚，分别为源极S、栅极G、漏极D。
A.正确
B.错误

[判断题]电力场效应晶体管具有自动关断能力，而且具有高输入阻抗、可以直接与数字逻辑集成电路连接、驱动电路简单功耗小、开关速度快达500kHz、开关损耗小、热稳定性好、不存在二次击穿问题和工作可靠等优点。
A.正确
B.错误

[判断题]功率场效应晶体管特点是栅极的静态内阻高，驱动功耗小，撤除栅极信号能自行关断，同时不存在二次击穿，安全工作区宽。
A.正确
B.错误

[判断题]693. 驻极体送器是属于高阻抗，必须采用阻抗变换器进行变换，这一作用是由场效应晶体管来完成。
A.正确
B.错误

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