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[填空题]在常温下，硅二极管的门槛电压约为( )V，导通后在较大电流下的正向压降约为( )V；锗二极管的门槛电压约为 _( )_V，导通后在较大电流下的正向压降约为_( )_V。
[单选题]硅二极管的死区电压约为( C ) 左右。
A.(A) 0V
B.(B) 0.2V
C.(C) 0.5V
D.(D)1V
[判断题]硅二极管的死区电压约为0.7V.
A.正确
B.错误
[单选题]通常硅管的死区电压约为（ ）。
A.0.1V
B.0.2V
C.0.5V
[单选题]通常锗管的死区电压约为（ ）。
A.0.3V
B.0.2V
C.0.1V
[单选题]通常，硅管的死区电压约为( )V，锗管约为( )V。
A.A 0.1V 0.5V
B.B 0.5V 0.1V
C.C 1V 5V
[判断题]通常，硅管的死区电压约为0.1V，锗管约为0.5V。
A.正确
B.错误
[填空题]二极管所能承受的最大反向电压称为二极管的( )。
[填空题]在输出电压平均值相等的情况下，三相半波整流电路中二极管承受的最高反向电压是三相桥式整流电路的( )倍。
[判断题]硅二极管死区电压为0.5V ，导通电压为0.7v 。
A.正确
B.错误
[单选题]硅二极管的死区电压为 0.5V,正向工作电压为( )V。
A.0.1~0.2
B.0.3
C.0.5
D.0.6
[判断题]硅二极管死区电压为0.5 V，导通电压为0.7 V。( )
A.正确
B.错误
[填空题]二极管最主要的特性是单向导电性，稳压二极管在使用时，稳压二极管与负载并联，稳压二极管与输入电源之间必须加入一个( )。
