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发布时间:2023-11-24 01:19:32

[单选题] 产生直流高压的半波整流电路中,高压整流硅堆的额定参数主要有额定反峰电压和( )。
A.额定整流电流
B.额定负荷电流
C.额定开断电流

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[判断题] 产生直流高压的半波整流电路中,高压整流硅堆的额定参数主要有额定反峰电压和额定整流电流。( )
A.正确
B.错误
[单选题]产生直流高压的半波整流电路中,高压整流硅堆的额定参数主要有额定反峰电压和( )。
A.额定整流电流
B.额定负荷电流
C.额定开断电流
[判断题] 产生直流高压的半波整流电路中,经高压硅堆V后变为脉动直流,经滤波电容C后减小了直流电压的脉动。( )
A.正确
B.错误
[判断题]产生直流高压的半波整流电路中,经高压硅堆V后变为脉动直流,经滤波电容C后减小了直流电压的脉动。( )
A.正确
B.错误
[判断题] 产生直流高压的半波整流电路中,升压变压器的输出电压经高压硅堆V后变为脉动直流。( )
A.正确
B.错误
[判断题] 产生直流高压的半波整流电路中高压保护电阻通常采用水电阻器。( )
A.正确
B.错误
[判断题] 产生直流高压的半波整流电路中高压保护电阻R用于限制试品放电时的放电电流。( )
A.正确
B.错误
[判断题] 产生直流高压的半波整流电路中,升压变压器的输出电压经滤波电容C后变为脉动直流。( )
A.正确
B.错误
[判断题] 产生直流高压的半波整流电路由升压试验变压器T、高压硅堆V、滤波电容C和保护电阻R构成。( )
A.正确
B.错误
[单选题] 产生直流高压的半波整流电路中( )用于限制试品放电时的放电电流。
A.升压试验变压器T
B.高压硅堆V
C.保护电阻R
[判断题]直流断路器和熔断器的额定电压、额定电流应满足直流系统和直流电路的要求,断流能力和熔断特性应满足系统开路的要求。
A.正确
B.错误

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