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[单项选择]在纯净的半导体中掺入微量的杂质，能提高半导体的（）能力。
A. 绝缘
B. 导电
C. 抗干扰
D. 介电
[简答题]把不同种类的施主杂质掺入同一种半导体材料中，杂质的电离能和轨道半径是否不同？把同一种杂质掺入到不同的半导体材料中（例如锗和硅），杂质的电离能和轨道半径又是否都相同？
[判断题]当半导体掺入微量杂质后，其电阻率会显著增大。
[单项选择]要得到N型杂质半导体，应在本征半导体硅或锗中掺入少量的（）
A. 三价元素
B. 四价元素
C. 五价元素
D. 六价元素
[单项选择]P型半导体是由半导体晶体材料中掺入（）而生成。
A. 3价元素
B. 4价元素
C. 5价元素
D. 电子
[简答题]说明半导体中浅能级杂质和深能级杂质的作用有何不同？
[简答题]纯锗，硅中掺入III或Ⅴ族元素后，为什么使半导体电学性能有很大的改变？杂质半导体（p型或n型）应用很广，但为什么我们很强调对半导体材料的提纯？
[简答题]如果向半导体中重掺施主杂质，就你所知会出现一些什么效应？
[判断题]由于本征半导体比杂质半导体纯净，所以，它的导电能力比杂质半导体强得多。
[填空题]按照半导体理论对不含杂质而且结构非常完整的半导体单晶称为（）。
[单项选择]在（）中掺入微量杂质其导电性能成万倍增强。
A. 导体
B. 绝缘体
C. 气体
D. 半导体
[单项选择]同一种施主杂质掺入甲、乙两种半导体，如果甲的相对介电常数εr是乙的3/4，mn*/m0值是乙的2倍，那么用类氢模型计算结果是（）
A. 甲的施主杂质电离能是乙的8/3，弱束缚电子基态轨道半径为乙的3/4
B. 甲的施主杂质电离能是乙的3/2，弱束缚电子基态轨道半径为乙的32/9
C. 甲的施主杂质电离能是乙的16/3，弱束缚电子基态轨道半径为乙的8/3
D. 甲的施主杂质电离能是乙的32/9，的弱束缚电子基态轨道半径为乙的3/8
[判断题]在半导体硅（锗）中掺入磷、锑等五价元素，得到P型半导体。
[填空题]在纯净的半导体中掺入微量的五价元素就成为（）型半导体，其中（）是多数载流子。
[填空题]在纯净的半导体中掺入微量的三价元素就成为（）型半导体，其中（）是多数载流子。
[简答题]什么叫杂质补偿，什么叫高度补偿的半导体，杂质补偿有何实际应用。
[单项选择]固溶体的特点是掺入外来杂质原子后原来的晶体结构不发生转变，但点阵畸变，性能变化。固溶体有有限和无限之分，其中（）。
A. 结构相同是无限固溶的充要条件
B. 结构相同是无限固溶的必要条件，不是充分条件
C. 结构相同是有限固溶的必要条件
D. 结构相同不是形成固溶体的条件
[简答题]当温度一定时，杂质半导体的费米能级主要由什么因素决定？试把强n，弱n型半导体与强p，弱p半导体的费米能级与本征半导体的费米能级比较。
