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发布时间:2023-10-26 08:32:41

[单项选择]对于硅三极管,发射极的死区电压约为()V。
A. 0.7
B. 0.5
C. 0.2

更多"对于硅三极管,发射极的死区电压约为()V。"的相关试题:

[单项选择]从输入特性曲线上看,硅管的死区电压约为().
A. 0.1V
B. 0.3V
C. 0.5V
D. 1V
[简答题]二极管伏安特性曲线上有一个死区电压,什么是死区电压?
[单项选择]硅管的死区电压为05V,锗管的死区电压为()
A. 05V
B. 07V
C. 04V
D. 02V
[简答题]硅二极管和锗二极管的死区电压的典型值约为多少?
[单项选择]当三极管集电极与发射极之间的电压UCE为一定值时,基极与发射极间的电压UBE与基极电流IB之间的关系,称为三极管的()。
A. 输入特性
B. 输出特性
C. 放大特性
D. 机械特性
[填空题]晶体三极管在放大器正常工作时,发射极加电压,集电极加()。
[单项选择]锗材料二极管的死区电压为()V。
A. 0.1
B. 0.3
C. 0.5
D. 0.7
[单项选择]硅材料二极管的死区电压为()V。
A. 0.1
B. 0.3
C. 0.5
D. 0.7
[单项选择]硅管与锗管的死区电压分别为()。
A. 0.7,0.3
B. 0.3,0.7
C. 0.5,0.2
D. 0.2,0.5
[单项选择]二极管正向电压大于死区电压后,正向()开始明显增加,并且随着正向电压加大,二极管呈现充分导通状态。
A. 电阻
B. 电势
C. 电荷
D. 电流
[单项选择]单结晶体管的发射极电压高于()电压时就导通。
A. 额定
B. 峰点
C. 谷点
D. 安全
[单项选择]当晶体三极管集电极与发射极之间的电压VCE=6伏,当基极电流IB=0.04毫安时,测得发射极电流IE=1.5毫安,则三极管的电流放大系数为()。
A. 36.5
B. 38.3
C. 39
D. 40
[单项选择]晶体三极管工作时,温度升高其死区电压();输入特性曲线()。
A. 减小/右移
B. 增大/右移
C. 增大/左移
D. 减小/左移
[单项选择]在下列关于硅二极管“死区电压/在额定电流范围内的正向管压降”数据中,合适的是()。
A. 0.1V/0.5V
B. 0.2V/0.5V
C. 0.5V/0.7V
D. 0.5V/1.0V
[单项选择]在下列关于锗二极管“死区电压/在额定电流范围内的正向管压降”数据中,合适的是()。
A. 0.1~0.2V/0.3V
B. 0.2~0.3V/0.7V
C. 0.3~0.5V/0.7V
D. 0.5V/0.7V
[单项选择]发射极放大器的输出电压和输入电压在相位上的关系是()。
A. 同相位
B. 相位差90°
C. 相位差180°
D. 不能确定
[单项选择]晶体三极管在一定的集电极电压作用下,加在基极与发射极之间的电压与基极电流之间的关系称晶体三极管的()。
A. 静态特性
B. 动态特性
C. 输出特性
D. 输入特性
[判断题]对于NPN型晶体管共发射极电路,当增大发射结偏置电压Ube时,其输入电阻也随之增大。

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