[单项选择]烤瓷冠在烤瓷炉内烧结每分钟的升温速率是（）。
A. 35～45℃
B. 45～49℃
C. 50～55℃
D. 55～60℃
E. 60～70℃

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[单项选择]PFM修复体是由下列哪一项在真空炉内烧结而成的修复体（）
A. 高熔瓷粉与镍铬合金
B. 中熔瓷粉与烤瓷合金
C. 低熔瓷粉与中熔合金
D. 低熔瓷粉与烤瓷金合金
E. 低熔瓷粉与金合金

[填空题]烧结速率的影响因素：（）、（）、（）。

[名词解释]烧结

[判断题]捣炉是挑翻炉内粘结大块的炉料和料面的烧结区，以增加料面的透气性，扩大坩埚。

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A. 快速
B. 长时间
C. 缓慢

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A. 15
B. 25
C. 50

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