[单项选择]氢型高速混床运行失效控制指标为电导率（）µS/cm。
A. 大于0.2
B. 大于1.0
C. 大于0.3
D. 大于0.5

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B. 大于
C. 等于
D. 正比于

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C. 半导体电极
D. 甘汞电极

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B. 10μS/cm
C. 15μS/cm
D. 20μS/cm

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A. 0.3μS/cm；
B. 1μS/cm；
C. 5μS/cm；
D. 10μS/cm。

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