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[单项选择]如果对半导体进行重掺杂,会出现的现象是()
A. 禁带变宽
B. 少子迁移率增大
C. 多子浓度减小
D. 简并化
[判断题]迁移率是反映半导体中载流子导电能力的重要参数。掺杂半导体的电导率一方面取决于掺杂的浓度,另一方面取决于迁移率的大小。同样的掺杂浓度,载流子的迁移率越大,材料的电导率就越高。()
[简答题]在本征半导体中进行有意掺杂各种元素,可改变材料的电学性能。请解释什么是浅能级杂质、深能级杂质,它们分别影响半导体哪些主要性质;什么是杂质补偿?杂质补偿的意义何在?
[简答题]如果有相同的电阻率的掺杂锗和硅半导体,问哪一个材料的少子浓度高,为什么?
[简答题]掺杂的目的是什么?掺杂在何时进行?惨杂方法有哪几种?