更多"说明费米能级的物理意义,根据费米能级位置如何计算半导体中电子和空穴浓度"的相关试题:
[简答题]为什么不能用费米能级作为非平衡载流子浓度的标准而要引入准费米能级?费米能级和准费米能级有何区别?
[简答题]在半导体计算中,经常应用这个条件把电子从费米能级统计过渡到玻耳兹曼统计,试说明这种过渡的物理意义。
[简答题]若n型硅中掺入受主杂质,费米能级升高还是降低?若温度升高当本征激发起作用时,费米能级在什么位置,为什么?
[简答题]半导体本征载流子浓度的表达式及其费米能级
[简答题]当温度一定时,杂质半导体的费米能级主要由什么因素决定?试把强n,弱n型半导体与强p,弱p半导体的费米能级与本征半导体的费米能级比较。
[单项选择]对于只含一种杂质的非简并n型半导体,费米能级EF随温度上升而()
A. 单调上升
B. 单调下降
C. 经过一个极小值趋近Ei
D. 经过一个极大值趋近Ei
[单项选择]对于一定的N型半导体材料,在温度一定时,减小掺杂浓度,费米能级会()。
A. 上移
B. 下移
C. 不变
[简答题]以硅的本征激发为例,说明半导体能带图的物理意义及其与硅晶格结构的联系,为什么电子从其价键上挣脱出来所需的最小能量就是半导体的禁带宽度?
[简答题]说明杂质能级以及电离能的物理意义。为什么受主、施主能级分别位于价带之上或导带之下,而且电离能的数值较小?
[简答题]说明半导体中浅能级杂质和深能级杂质的作用有何不同?