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[判断题]光敏电阻吸收了光量子能量,使得载流子迁移率增加,导致电导率增加。
[简答题]说明本征锗和硅中载流子迁移率随温度增加如何变化?
[单项选择]空间实验室中失重状态下生长的GaAs与地面生长的GaAs相比,载流子迁移率要高,这是因为()
A. 无杂质污染
B. 晶体生长更完整
C. 化学配比更合理
D. 宇宙射线的照射作用
[判断题]抛光片的电学参数包括电阻率,载流子浓度,迁移率,直径、厚度、主参考面等。()
[判断题]迁移率是反映半导体中载流子导电能力的重要参数。掺杂半导体的电导率一方面取决于掺杂的浓度,另一方面取决于迁移率的大小。同样的掺杂浓度,载流子的迁移率越大,材料的电导率就越高。()
[单项选择]杂质半导体中多数载流子的浓度取决于()
A. 温度
B. 杂质浓度
C. 电子空穴对数目
D. 都不是
[多项选择]在杂质半导体中,少数载流子的浓度主要取决于() ,而多数载流子的浓度则与()有很大关系。
A. 温度
B. 掺杂工艺
C. 杂质浓度
D. 晶体缺陷
E. 空穴
F. 自由电子
[多项选择]影响电泳迁移率的因素有()
A. 待分离生物大分子的性质
B. 支持介质的筛孔
C. 电渗
D. 电场强度
E. 粒子的净电荷缓冲液的性质