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发布时间:2023-10-10 08:01:06

[单项选择]半导体中载流子的扩散系数决定于该材料中的()
A. 散射机构;
B. 复合机构;
C. 杂质浓度梯度;
D. 表面复合速度。

更多"半导体中载流子的扩散系数决定于该材料中的()"的相关试题:

[判断题]P型半导体,又称空穴型半导体,这种半导体空穴是多数载流子,电子是少数载流子。
[多项选择]N型半导体中,多数载流子是(),P型半导体中,多数载流子是()。
A. 正离子
B. 自由电子
C. 空穴
D. 负离子
E. 质子
F. 中子
[判断题]半导体中的载流子是电子。
[单项选择]半导体中的载流子()。
A. 只有电子
B. 只有空穴
C. 只有价电子
D. 自由电子和空穴
[单项选择]一块半导体寿命τ=15µs,光照在材料中会产生非平衡载流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡载流子将衰减到原来的()
A. 1/4
B. 1/e
C. 1/e2
D. 1/2
[单项选择]下列关于P型半导体中载流子的描述,正确的是()
A. 仅自由电子是载流子
B. 仅空穴是载流子
C. 自由电子和空穴都是载流子
D. 三价杂质离子也是载流子
[简答题]半导体本征载流子浓度的表达式及其费米能级
[简答题]半导体材料的载流子是什么?若在半导体硅中掺入有三个价电子的元素,形成何种类型半导体?五价?
[判断题]P型半导体材料又称为空穴型半导体,其多数载流子为正电荷.
[单项选择]半导体中少数载流子寿命的大小主要决定于()
A. 复合机构
B. 散射机构
C. 禁带宽度
D. 晶体结构
[单项选择]杂质半导体中多数载流子的浓度取决于()
A. 温度
B. 杂质浓度
C. 电子空穴对数目
D. 都不是
[判断题]迁移率是反映半导体中载流子导电能力的重要参数。掺杂半导体的电导率一方面取决于掺杂的浓度,另一方面取决于迁移率的大小。同样的掺杂浓度,载流子的迁移率越大,材料的电导率就越高。()
[单项选择]P型半导体是由半导体晶体材料中掺入()而生成。
A. 3价元素
B. 4价元素
C. 5价元素
D. 电子
[单项选择]在P型半导体中,多数载流子是()。
A. 电子
B. 空穴
C. 离子
D. 分子
[多项选择]在杂质半导体中,少数载流子的浓度主要取决于() ,而多数载流子的浓度则与()有很大关系。
A. 温度
B. 掺杂工艺
C. 杂质浓度
D. 晶体缺陷
E. 空穴
F. 自由电子
[简答题]区别半导体平衡状态和非平衡状态有何不同?什么叫非平衡载流子?什么叫非平衡载流子的稳定分布?
[填空题]在纯净的半导体中掺入微量的五价元素就成为()型半导体,其中()是多数载流子。
[填空题]在纯净的半导体中掺入微量的三价元素就成为()型半导体,其中()是多数载流子。

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