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[填空题]场效应管按其结构不同常见的两种类型：（）和绝缘栅场效应管。
[填空题]场效应管噪声的主要来源是（），一般情况下晶体三极管的噪声比场效应管要大。
[多项选择]IGBT的基本结构是由“双极型三极管BJT”和“MOS绝缘栅型场效应管”组成的（）电力电子器件。
A. 结构复杂
B. 复合
C. 全控型
D. 电压驱动式
[判断题]场效应管的低频跨导是描述栅极电压对漏极电流控制作用的重要参数，其值愈大，场效应管的控制能力愈强。
[单项选择]电力场效应管MOSFET（）现象。
A. 有二次击穿
B. 无二次击穿
C. 防止二次击穿
D. 无静电击穿
[单项选择]场效应管栅极用（）表示。
A. C
B. G
C. S
D. D
[单项选择]场效应管本质上是一个（）
A. 电流控制电流源器件
B. 电流控制电压源器件
C. 电压控制电流源器件
D. 电压控制电压源器件
[多项选择]场效应管的电极为（）。
A. 基极b
B. 发射极e
C. 集电极c
D. 源极s
E. 栅极g
F. 漏极d
[多项选择]场效应管的类型有（）。
A. 结型场效应管
B. 绝缘栅型场效应管
C. N沟道增强型MOS管
D. P沟道增强型MOS管
E. N沟道耗尽型MOS管
F. P沟道耗尽型MOS管
[单项选择]场效应管是（）控制的器件。
A. 电阻
B. 电流
C. 电压
D. 功率
[单项选择]结型场效应管可分为（）。
A. MOS管和MNS管
B. N沟道和P沟道
C. 增强型和耗尽型
D. NPN型和PNP型
[单项选择]场效应管是（）型控制元件。
A. 电压
B. 电流
C. 功率
D. 电阻
[单项选择]更具结构不同，场效应管分为（）
A. N沟道和P沟道场效应管
B. NPN和PNP型场效应
C. MOS管和MNS管
D. 结构和绝缘栅场效应管
[单项选择]绝缘栅型场效应管的输入电流（）。
A. 较大
B. 较小
C. 为零
D. 无法判断
[多项选择]结型场效应管的类型有（）。
A. N沟道结型场效应管
B. P沟道结型场效应管
C. N沟道增强型MOS管
D. P沟道增强型MOS管
E. N沟道耗尽型MOS管
F. P沟道耗尽型MOS管
